Flash存储中的纠错编码

Flash闪存是一种非易失性的存储器件,随着工艺尺寸的不断减小,存储容量需求的不断增加,存储可靠性与寿命成为Flash生产与应用过程中最严重的两个挑战.基于多级(MLC,Multilevel Cell)"与非(NAND)型"Flash的层级结构特征与读写操作特性,构造了一种基于正交映射的纠错编码方法,给出其编解码原理与结构,并分析其纠错能力.在此基础上,分析了该编码方法在Flash存储系统中的两种典型应用场景,即分布式多用户共享存储以及历史数据的无差错恢复.此外,Flash存储单元的可靠性受擦除次数的限制,其寿命相当有限,该编码方法可以有效地利用坏块来提高Flash的整体生命周期.分析结果表明:不改变整体结构,只需对编码模块进行简单调整,即可实现多种实际应用需求.

一种降低NAND Flash滞留错误的纠错方案

针对NAND Flash中存在的滞留错误(Retention Error),提出了一种降低该错误的动态译码纠错方案。该方案利用系统的存储时间、擦写次数信息分析其对滞留错误造成的影响,得出了硬判决译码的最优判决电压和软判决译码的对数似然比(LLR),进而设计动态译码纠错方案。通过硬判决BCH码和软判决LDPC码对该纠错方案进行仿真验证,结果表明该方案能够有效地降低NAND Flash数据滞留引起的错误,延长数据的存储时间。