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ADS模式低存储电容像素设计 被引量:5
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作者 栗鹏 朴正淏 +5 位作者 金熙哲 金在光 尚飞 邱海军 高文宝 韩乾浩 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2017年第1期19-22,共4页
高级超维场转换技术(Advanced Super Dimension Switch,简称ADS)是以宽视角技术为代表的核心技术统称,其显示模式过大的存储电容(C_(st))成为限制Dual Gate GOA 4K TV应用的主要因素。在较短的充电时间内,像素为了维持相同的充电率,需... 高级超维场转换技术(Advanced Super Dimension Switch,简称ADS)是以宽视角技术为代表的核心技术统称,其显示模式过大的存储电容(C_(st))成为限制Dual Gate GOA 4K TV应用的主要因素。在较短的充电时间内,像素为了维持相同的充电率,需要降低C_(st)。本文采用一种双条形电极ADS结构(Dual Slit ADS),其中像素电极与公共电极交叠区域形成ADS结构,像素电极与公共电极间隔区域形成共面转换(IPS)结构,通过减少像素电极与公共电极的交叠面积,起到降低ADS模式C_(st)的目的。模拟结果表明:当ADS显示模式采用Dual Slit ADS设计时,像素的C_(st)可以下降30%~40%。实验结果表明:采用Low Cst Pixel ADS设计时,VGH Margin可以增大2.5 V,但受到像素电极和公共电极的对位影响,透过率下降5%。 展开更多
关键词 高级超维场转换技术 DUAL GATE GOA 4K TV 存储电容 双条形电极
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TFT-LCD改善“斑点不良”的研究 被引量:5
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作者 李晓吉 赵彦礼 +6 位作者 栗鹏 李哲 朴正淏 金在光 金熙哲 尚飞 邱海军 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2017年第7期507-511,共5页
在压力测试时,高分辨率TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display)液晶面板会发生"斑点不良"。为了预防该不良的发生,本文分析了"斑点不良"的发生机理:压力测试时,隔垫物PS(Photo Spacer)发生滑动,将... 在压力测试时,高分辨率TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display)液晶面板会发生"斑点不良"。为了预防该不良的发生,本文分析了"斑点不良"的发生机理:压力测试时,隔垫物PS(Photo Spacer)发生滑动,将阵列基板上透光区域的配向膜-聚酰亚胺PI(Polyimide)划伤,而失去配向液晶能力,在暗态画面下,划痕处会发生漏光,形成斑点状。本文对不同尺寸及分辨率的液晶面板进行了压力测试,比较隔垫物挡墙、黑矩阵BM(Black Martrix)、隔垫物站位等不同因素对"斑点不良"的影响:隔垫物挡墙能有效阻挡隔垫物的滑动距离的23.6%,能有效降低"斑点不良"的漏光发生;当隔垫物滑动的距离未超出黑矩阵的遮挡范围时,不可见"斑点不良"或很轻微;站在金属块(Pillow)上的隔垫物比没有站在Pillow上的隔垫物滑动距离小约10%。最后以49in超高清UHD(Ultra High Definition)液晶面板为例,提出一种改善"斑点不良"的的设计方案:增加PS上下挡墙设计,降低PS滑动距离;增加BM宽度设计,保证PS边缘到BM边缘的距离大于PS滑动距离;降低PS的个数,增加PS的大小设计降低透过率损失。该方案客户验证无"斑点不良"发生且透过率下降1.2%,说明此设计方案能够有效地改善"斑点不良"。 展开更多
关键词 液晶显示面板 斑点不良 黑矩阵 隔垫物
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