期刊文献+
共找到3篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
HTM技术中细微图形成形效果的衍射理论分析与实验结果(英文) 被引量:2
1
作者 郭建 金基用 +3 位作者 林承武 明星 周伟峰 李斗熙 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期327-333,共7页
针对使用半色调掩膜技术的TFT LCD玻璃基板曝光过程中的衍射和干涉现象进行了分析。文中给出了衍射和干涉现象的理论模型,并且对这两种现象在HTM技术中所起的作用进行了解释,尤其针对不同的狭缝宽度和狭缝间距的结构进行了分析。给出了... 针对使用半色调掩膜技术的TFT LCD玻璃基板曝光过程中的衍射和干涉现象进行了分析。文中给出了衍射和干涉现象的理论模型,并且对这两种现象在HTM技术中所起的作用进行了解释,尤其针对不同的狭缝宽度和狭缝间距的结构进行了分析。给出了扫描电镜的图片做为进一步的说明。 展开更多
关键词 半色调掩膜 灰色调掩膜 薄膜晶体管液晶显示器 曝光 衍射
下载PDF
不同狭缝与遮挡条设计对TFT特性的影响与规律(英文) 被引量:3
2
作者 周伟峰 薛建设 +5 位作者 金基用 刘翔 明星 郭建 陈旭 闵泰烨 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期165-169,共5页
通过对掩膜版上不同狭缝与遮挡条设计与TFT沟道形貌、电学特性相互关系的分析,发现随着狭缝与遮挡尺寸的减小,TFT的电学特性、沟道处光刻胶起伏与最终关键尺寸偏移量都会改善。狭缝的尺寸比遮挡条的尺寸对TFT特性的影响更加显著。考虑... 通过对掩膜版上不同狭缝与遮挡条设计与TFT沟道形貌、电学特性相互关系的分析,发现随着狭缝与遮挡尺寸的减小,TFT的电学特性、沟道处光刻胶起伏与最终关键尺寸偏移量都会改善。狭缝的尺寸比遮挡条的尺寸对TFT特性的影响更加显著。考虑到沟道转角处的短路几率问题,小的狭缝与遮挡条尺寸设计更加适合于四次掩膜光刻工艺,转角处的缺陷可以通过调整遮挡条的尺寸来避免。 展开更多
关键词 薄膜晶体管液晶显示器 沟道设计 四次掩膜曝光
下载PDF
TFT-LCD生产及发展概况 被引量:38
3
作者 罗丽平 贠向南 金基用 《现代显示》 2012年第3期31-38,共8页
文章简要概述了薄膜晶体管液晶显示器(thin-film transistor liquid crystal display,TFT-LCD)的发展历程,并从生产成本、屏幕解析度、亮度、视角以及功耗等多个方面阐述了国内外TFT-LCD的发展概况。
关键词 TFT-LCD 发展 概况
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部