中子管离子束系统

对国内研制使用的测井中子管离子束系统作了理论分析，并讨论了与此有关的中子管性能。

利用永久磁场抑制中子管中的电子电流

讨论密封式中子管中抑制二次电子的几种方法．对Philip型中子管，用永久磁块抑制二次电子时得到中子产额是不加磁块时中子产额的1．33倍．

C／O比测井用中子管的研制

报道了外型直径４８ｍｍ，长２００ｍｍ的圆柱型陶瓷体石油测井用中子管的研制．该管在２０ｋＨｚ的脉冲电压下工作正常，产额最高可达５×１０８ｎ／ｓ，寿命在２５０ｈ以上．

密封式中子管中电子电流形成过程

分析中子管中电子电流的形成过程．对于Philip型中子管，D+离子轰击靶产生的二次电子直射进入加速区，形成的电子电流仅是总电子电流的一部分．为完整地解释电子电流的形成，必须考虑到二次电子在加速电极内壁上的散射和新产生的二次电子进入加速区形成电子流的因素．