1.3μm无致冷AlGaInAs/InP应变补偿量子阱激光器设计与制作

基于半导体量子阱激光器的基本理论 ,设计了合理的 1 .3 μm无致冷 Al Ga In As/ In P应变补偿量子阱激光器结构 ,通过低压金属有机化学气相外延 ( LP-MOVPE)工艺在国内首次生长出了高质量的 Al Ga In As/ In P应变补偿量子阱结构材料 ,用此材料制作的器件指标为激射波长 :1 2 80 nm≤λ≤ 1 3 2 0 nm,阈值电流 :Ith( 2 5℃ )≤ 1 5m A,Ith( 85℃ )≤ 3 0 m A,量子效率变化 :Δηex( 2 5℃～ 85℃ )≤ 1 .0 d B,线性功率 :P0 ≥ 1 0 m

高性能 2.5Gb/s 用的 DFB-LD/EA 单片集成器件

报导了采用全ＭＯＣＶＤ生长的１．５５μｍ单片集成ＤＦＢ－ＬＤ／ＥＡ组件的制作和在ＤＷＤＭ系统上的传输测试结果。出纤功率Ｐｆ≥２．５ｍＷ＠Ｉｆ＝７５ｍＡ，边模抑制比ＳＭＳＲ＞３５ｄＢ，调制器反向偏压为２．５Ｖ时的消光比为１４ｄＢ。该发射模块在２．５Ｇｂ／ｓＤＷＤＭ系统上进行了传输试验，传输２４０Ｋｍ后无误码，其通道代价≤１ｄＢ＠ＢＥＲ＝１０－１２。

2.5 Gbit/s用DFB-LD/EA单片集成器件

本文报道了采用全ＭＯＣＶＤ生长的１．５５μｍ单片集成ＤＦＢ－ＬＤ／ＥＡ组件的制作和在ＤＷＤＭ系统上的传输测试结果。出纤功率Ｐｆ≥２．５ｍＷ，Ｉｆ＝７５ｍＡ，边模抑制比ＳＭＳＲ≥３５ｄＢ。调制器反向偏压为２．５Ｖ时的消光比为１４ｄＢ；该发射模块在２．５Ｇｂｉｔ／ｓＤＷＤＭ系统上进行传输试验，传输２４０ｋｍ后无误码，其通道代价≤１ｄＢ，ＢＥＲ＝１０－１２。

高功率1.31μm AlGaInAs应变多量子阱DFB激光器

采用金属有机化学汽相淀积工艺和脊型波导结构，同１．３１μｍＡｌＧａＩｎＡｓ／ＩｎＰ应变多量子阱分布反馈激光器高功率输出。在２５℃时，管芯最大输出功率超过５０ｍＷ，阈值电流范围在１３－２０ｍＡ之间，发光面斜效率高于０．４５ｍＷ／ｍＡ，边模抑制比超过３５ｄＢ，室温中值寿命大于３＊１０＾５小时。

2.5Gb/s1.55μm InGaAsP/InP分布反馈激光器/电吸收调制器单片集成器件

本文在已经报道的采用直接集成方法制作的１．５５μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ部份增益耦合ＤＦＢ激光器与电吸收调制器的单片集成器件的基础上，进一步对器件的性能进行了改进，并采用标准１４脚蝶型管壳对集成器件进行了封装．封装后的发射模块阈值电流约为２０～３０ｍＡ，边模抑制比大于４０ｄＢ，耦合输出光功率大于２ｍＷ，在３Ｖ的反向调制电压下消光比约为１７ｄＢ．我们还在２．５Ｇｂ／ｓ波分复用系统上对集成器件进行了传输实验．经过２４０ｋｍ普通单模光纤传输后，在误码率为１０－１０的情况下功率代价小于０．５ｄＢ．

1.55μmInGaAsP/InP部份增益耦合分布反馈式激光器/电吸收调制器集成器件

本文首次报道一种结构简单的１．５５μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ部份增益耦合ＤＦＢ激光器与电吸收调制器的单片集成器件．该器件采用脊波导进行横模限制，阈值电流范围为３０～６０ｍＡ，典型边模抑制比大于４０ｄＢ，反向偏压３Ｖ时的消光比为１１ｄＢ．

双偏振双波长混合应变量子阱激光器

本文报道了以混合应变量子阱结构为有源区的激光器。对有源区分别采用体材料、匹配量子阱、压应变量子阱和混合应变量子阱结构的激光器进行了比较。混合应变量子阱激光器能同时工作于两种偏振模式，而且两种偏振模式的激射波长不同。结合实验结果，我们可以看出在混合应变量子阱结构中，从偏振自发辐射谱峰值波长差不能推断两种量子阱的能带填充效应大小。

1.3μm混合应变量子阱激光器偏振特性分析

本文报道了采用混合应变量子阱作为有源区的激光器，并对其进行了测试和分析．偏振Ｐ－Ｉ曲线表明这种激光器的ＴＥ和ＴＭ激射模式分别对应于不同的阈值电流，ＴＭ模式的阈值电流在一定温度范围内随温度升高而降低，ＴＭ模式的斜率效率和总的斜率效率在一定温度范围内随温度升高而升高．测试了不同电流和温度下的偏振激射谱，两种激射谱随电流和温度改变都有很大变化，表明ＴＥ和ＴＭ激射模式之间有强烈的互作用．我们认为可能是由载流子分布与强激光辐射之间的非线性效应引起的．

不同反射率半导体激光放大器的增益谱特性

采用传输矩阵方法（ＴＭＭ）对具有不同腔面反射率的半导体激光放大器的特性进行了分析。在相同的注入水平下镀膜后峰值增益波长会产生几十纳米的蓝移。讨论了沿腔面均匀注入和非均匀注入时的增益特性，输出功率较小时没有增益饱和效应，两种条件下增益差别不大；当要求输出功率大时，非均匀注入将优于均匀注入。

1．3μm量子阱LD的工艺研究和特性分析

１．３μｍ量子阱ＬＤ的工艺研究和特性分析金锦炎，李同宁，刘涛，李云樵，王任凡，刘自力（武汉电信器件公司）１引言１．３μｍ波长激光器作为光通信光源，正由有致冷向无致冷转化。量子阱激光器阈值电流低、温度特性好，因此是无致冷激光器的最佳选择［１～２］。我们...

高功率1310nm多量子阱分布反馈激光器

采用金属有机物化学汽相淀积／液相外延生长工艺和多量子阱－分布反馈双沟平面隐埋异质结结构，实现了１３１０ｎｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ多量子阱分布反馈激光器高功率输出。２５℃时，尾纤输出功率（Ｐｆ）大于１０ｍＷ，阈值电流（Ｉｔｈ）小于１８ｍＡ，斜率效率（Ｅｓ）大于２２Ｗ／Ａ，边模抑制比（ＳＭＳＲ）大于４０ｄＢ，单纵模产率（Ｙ）超过７０％

长波长量子阱LD的实用化研究

长波长量子阱ＬＤ的实用化研究李同宁，刘涛，金锦炎，丁国庆，郭建委，胡常炎，吴桐，李明娟，赵俊英，魏泽民（武汉电信器件公司）近十年来，ＭＢＥ、ＭＯＣＶＤ、ＣＢＥ工艺研究在半导体超薄层材料制备行业中非常活跃。国际上长波长多量子阱激光器件多采用ＭＯＣＶＤ工...

用LP-MOCVD对InGaAs(P)/InP材料的工艺研究

我们用AIXTRON生产的LP-MOCVD系统进行了InGaAs(P)/InP材料的生长研究,用X-ray双晶衍射仪、PL光荧光光谱仪、α-台阶仪及C-V仪等分析手段,研究生长工艺对材料特性的影响,取得了很好的结果。目前,我们已掌握一套MOCVD生长材料的标准参数,利用这些参数生长了1.31μm体材料激光器和量子阱激光器结构,阈值电流密度J_(th)分别为1、1 kA/cm^2和1.0 kA/cm^2。

1.55μm AlGaInAs-InP偏振无关半导体光放大器及其温度特性研究

采用低压金属有机气相外延 (LP MOCVD)设备生长并制作了 1 5 5 μmAlGaInAs InP偏振无关半导体光放大器 ,有源区为 3周期的张应变量子阱结构 ,应变量为 0 35 % ;器件制作成脊型波导结构 ,并采用 7°斜腔结构以有效抑制腔面反射 ;经蒸镀减反膜后 ,半导体光放大器的自发辐射功率的波动小于 0 3dB ,3dB带宽为 5 0nm ,半导体光放大器小信号增益近 2 0dB ,带宽亦为 5 0nm .在 1 5 30— 1 5 80nm波长范围内偏振灵敏度小于 0 5dB ,峰值增益波长的饱和输出功率达 7dBm ;器件增益随温度的升高而减小 ,当器件工作温度从 2 5℃升高至 6 5℃时 ,增益降低小于 3dB .

MOVPE生成AlGaInAs/InP应变量子阱材料研究

用低压金属有机化学气相沉积 (L P- MOCVD)设备生长了 Al Ga In As压应变量子阱材料、应变补偿量子阱材料并进行了材料特性的测试 ,通过二次离子质谱仪 (SIMS)的测试讨论了材料中氧含量对材料特性的影响 ,通过采用高纯原料和纯化载气 ,生长出了较高质量的 Al Ga In As应变量子阱材料 :氧含量小 ,光荧光强度大 (2 5 m W,PL=0 .3) ,光荧光谱线窄 (FWHM=31me V)

MOVPE生长1.3μm无致冷AlGaInAs/InP应变补偿量子阱激光器研究

通过低压金属有机化学气相外延 (LP MOVPE)工艺生长了AlGaInAs应变补偿量子阱材料 ,通过X射线双晶衍射、光荧光、二次离子质谱的测试分析得到了材料生长的优化工艺参数 ,降低了材料中的氧杂质含量 ,得到了高质量AlGaInAs应变补偿量子阱材料 ,室温光致发光半宽FWHM =2 6meV。采用此外延材料成功制作了 1 3μm无致冷AlGaInAs应变量子阱激光器 ,器件测试结果为 :激射波长 :12 90nm≤ λ≤ 1330nm ;阈值电流 :Ith(2 5℃ )≤15mA ;Ith(85℃ )≤ 2 5mA ;量子效率变化 :Δηex(2 5～ 85℃ )≤ 1 0dB。

低偏振灵敏度半导体光放大器

报道了基于混合应变量子阱材料的半导体光放大器 (SOA)。利用张应变量子阱加强了TM模的增益 ,使之接近TE模的增益 ,从而使SOA的偏振灵敏度大为降低。在 150mA的偏置下 ,获得了 2 4dB的小信号增益和 1dB的偏振灵敏度。