用于液晶显示的透明导电膜

采用低衬底温度射频溅射的方法制得了低电阻率、高透过率的透明导电膜，沉积时的氧分压、衬底温度等对透明导电膜有很大的影响．衬底温度为室温时，制出了４．５×１０－４Ω·ｃｍ的透明导电膜．在彩色滤色膜或保护膜上沉积透明导电膜时，只能在低于它们的耐热温度以下，并注意排除有机膜吸附的气体．

激光刻图在制造 a-Si 光伏器件中的应用

描述了在集成型 a-Si 光伏器件的制造中,利用高功率激光束进行刻图的新方法。作为激光刻图中材料除去的模型,被刻蚀材料的蒸汽压对材料除去会带来很大的影响。在制备 a-Si 光伏器件中,侧边接触的器件结构对激光刻图技术是很合适的。激光的平均功率或激励电流,重复频率、焦距和扫描速度是激光刻图技术的基本参数。我们列出了刻蚀 TCO、a-Si 和背电极薄膜的一些刻蚀条件,可以发现要刻蚀不同的薄膜,需控制这些条件以达到最佳化。

用催化CVD法研制优质a-Si薄膜

用新的催化ＣＶＤ法在约３５０℃的低温条件下研制出了ａ－Ｓｉ薄膜。本方法是利用催化剂，使ＳｉＨ４和Ｈ２混合气体在一定温度下反应而裂解，在衬底上沉积ａ－Ｓｉ薄膜。所制出的ａ－Ｓｉ薄膜具有良好的光电特性，光电灵敏度超过１０６，电子自旋密度约２．５×１０１６ｃｍ－３。

非晶薄膜的硬度测量

用努普(Knoop)压痕法测量了沉积在普通玻璃上的 ITO,SnO_2和非晶硅薄膜的硬度。在0.245N 负荷下测得它们的硬度分别是7232、7987和4929MPa。这些薄膜材料的硬度取决于薄膜制备方法和制备时的工艺条件,同时也与测量方法有关。不同衬底温度时沉积的非晶硅薄膜,其硬度随温度降低而减小,这与非晶硅薄膜中所含的氢的多少有关。

薄膜太阳电池

硅太阳电池的应用日趋广泛,但昂贵的原材料成为其发展的瓶颈。薄膜太阳电池由于只需使用一层极薄的光电材料,材料使用非常少,并可使用软性衬底,应用弹性大,如果技术发展成熟,其市场面将相当宽阔。文章就迄今被人们广为关注的各类薄膜太阳电池,即非晶硅薄膜太阳电池、微(多)晶硅薄膜太阳电池、铜铟硒薄膜太阳电池、碲化镉薄膜太阳电池、染料敏化薄膜太阳电池和有机薄膜太阳电池的发展概况、技术难点和优缺点进行了论述。

彩色铁电液晶显示器

彩色滤波膜、透明导电膜、表面稳定的铁电液晶取向膜等构成了彩色铁电液晶显示器的主要材料。文章论述了彩色铁电液晶显示器的制造和性能。制出的铁电液晶显示器，其对比度达８４：１，上升时间为１１０μｓ，下降时间为７６μｓ。

锗硫锑非晶薄膜材料的组成和光隙

用 EPMA 分析了真空蒸发制得的(Ge_(0.3)S_(0.7))_(100-x)(Sb_(0.4)S_(0.6))_x 和(Ge_(0.42)S_(0.58)_(100-x)(Sb_(0.4)S_(0.6)_x 薄膜样品的组成,发现薄膜中 Ge、S、Sb 的含量与作为蒸发源的相应的块样中的含量不同。同时测量了两类薄膜样品的光隙,发现它们与相应块样的光隙在 x 较小时相差较大,这主要是材料中 S 的含量偏离所致。本文对组成偏离的原因进行了讨论。

PCVD法对碳化硅陶瓷的表面改性研究

利用等离子辉光放电化学气相沉积技术（ＰＣＶＤ），控制甲烷与磋烷质量流量比、硅烷与氨质量流量比，在碳化硅基体表面分别沉积上无定形碳化硅和氨化硅薄膜，研究其膜的组成、沉积工艺、厚度等对碳化硅陶瓷的强度改性影响．在一定的沉积条件下沉积的碳化硅薄膜可以使基体强度提高２０％达到８５０ＭＰａ，沉积氮化硅薄膜使强度提高３０％达到９００ＭＰａ，改性的效果很明显．

薄膜晶体管a－Si：H／a－SiN_x界面研究

对比ａ－Ｓｉ：Ｈ／ａ－ＳｉＮｘ界面附近ａ－Ｓｉ：Ｈ和体材料ａ－Ｓｉ：Ｈ的光致发光谱（ＰＬ）发现：随着ＳｉＮｘ中ｘ的增大，ＰＬ峰值向低能方向移动，相对发光强度减小。这是因为由于氮含量的增加，界面晶格不匹配加剧，导致悬挂键密度增多和深能级隙态密度增加。该观点得到Ｃ－Ｖ测试结果的证实。

液晶显示用非晶硅薄膜晶体管的研制

本文报道了液晶显示用非晶硅薄膜晶体管的有关材料和器件的制造。为满足实用要求，着重了其关键材料－非晶硅薄膜以及非晶氮化硅薄膜的制作条件和主要性能。经改进，非晶硅薄膜的缺陷态密度达４．１３×１０＾１５ｃｍ＾－３，场效应迁移率为０．８４ｃｍ＾２ｖ＾－１ｓ＾－１。叙述了非晶硅薄膜晶体管的特性。其结果是开并比≥１０＾６，阀值电压Ｖｔ＝２．５Ｖ，ＶＬＣ达到９０％时的上升时间℃６０μｓ。

带有源矩阵的液晶显示盒的制造技术

介绍了带有源矩阵的液晶显示盒的制造过程，包括取向膜的制造，液晶盒的粘接，液晶的注入和密封技术，分析了残余直流特性的产生原因和所采取的措施，还介绍了偏振片的粘贴技术。

非晶硅太阳电池的激光刻划

对一台用于非晶硅太阳电池的激光刻划和计算机控制系统进行了理论分析,成功地完成了非晶硅和透明导电膜的刻划工艺。