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GaSb太阳电池阳极氧化膜的研究 被引量:2
1
作者 钟兴儒 刘爱民 +1 位作者 林兰英 向贤碧 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第3期263-265,共3页
讨论了GaSb太阳电池阳极氧化膜的减反射特性,利用AES和XRD分析了氧化膜的组成和结构,实验制备的GaSb太阳电池效率为5%。
关键词 氧化膜 减反射 太阳能电池 阳极
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Ag/AuGeNi/n-GaSb欧姆接触的研究 被引量:1
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作者 钟兴儒 刘爱民 +3 位作者 林兰英 常秀兰 陶琨 陈顺英 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第4期384-388,共5页
研究了Ag/AuGeNi/n-GaSb在150℃一450℃下合金处理对欧姆接触的影响,最佳合金温度为220℃,此时接触电阻率为6.7×1O-‘Ωcm‘。用AES和XRD研究了金属半导体界面处的扩散及物相变化,并讨... 研究了Ag/AuGeNi/n-GaSb在150℃一450℃下合金处理对欧姆接触的影响,最佳合金温度为220℃,此时接触电阻率为6.7×1O-‘Ωcm‘。用AES和XRD研究了金属半导体界面处的扩散及物相变化,并讨论了接触电阻率与微结构的关系。 展开更多
关键词 欧姆接触 接触电阻率 微结构 太阳能电池
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神舟飞船生长GaMnSb材料过程及性能分析 被引量:2
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作者 张富强 陈诺夫 +2 位作者 吴金良 钟兴儒 林兰英 《空间科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期455-461,共7页
利用神舟3号飞船(SZ-3)上的多样品空间晶体炉制备出GaMnSb材料.所设计的石英安瓿使用氧化铝棉毡和特殊设计制造的氮化硼坩锅进行减震,经受住了严峻的力学环境的考验,完成了材料的空间生长实验,达到了空间生长材料的初步要求.对空间生长... 利用神舟3号飞船(SZ-3)上的多样品空间晶体炉制备出GaMnSb材料.所设计的石英安瓿使用氧化铝棉毡和特殊设计制造的氮化硼坩锅进行减震,经受住了严峻的力学环境的考验,完成了材料的空间生长实验,达到了空间生长材料的初步要求.对空间生长的GaMnSb晶体进行了X射线能谱分析和X射线衍射分析,发现空间生长的GaMnSb是多晶结构.对未获得GaMnSb单晶的原因进行了分析,发现空间晶体炉温度的波动和提供能量的不足是导致生成GaMnSb多晶结构的主要原因.由于在晶体生长的初始阶段晶体炉提供的能量不足,使GaSb单晶部分未能熔化,从而导致GaMnSb材料的生长在没有籽晶的情况下进行. 展开更多
关键词 神舟3号飞船 微重力 GaMnSb 稀磁半导体 X射线衍射 多晶结构
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砷化镓气相外延生长反应系统的研究
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作者 林耀望 钟兴儒 张治平 《功能材料》 EI CAS 1980年第2期55-60,共6页
一、引言为了重复地、可控地制备高质量的GaAs外延材料,建立一个高气密性,抗强腐蚀性的外延生长反应系统,采用Ga-AsCl3—H2系统是首要的,而且是必不可少的。由于AsCl3具有极强的腐蚀性,能够提供制作反应系统的材料是很少的,只有石英、... 一、引言为了重复地、可控地制备高质量的GaAs外延材料,建立一个高气密性,抗强腐蚀性的外延生长反应系统,采用Ga-AsCl3—H2系统是首要的,而且是必不可少的。由于AsCl3具有极强的腐蚀性,能够提供制作反应系统的材料是很少的,只有石英、聚四氟乙烯等材料。虽然氟橡胶具有耐腐蚀,优良的机械弹性等优点,为许多工作者所采用,但是大量事实说明氟橡胶仍经不住AsCl3的强烈腐蚀,并且是外延材料质量低劣的重要原因之一。因此,设计并建立一个高气密性。 展开更多
关键词 石英管 外延材料 反应系统 聚四氟乙烯 含氟高聚物 GAAS 外延生长 晶体生长 高气密性
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用X射线双晶衍射方法测定GaMnAs组分 被引量:5
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作者 陈诺夫 修慧欣 +3 位作者 杨君玲 吴金良 钟兴儒 林兰英 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第24期2035-2038,共4页
对计算化合物晶体点缺陷的模型做了改进,在此基础上建立了一种精确测定GaMnAs中Mn组分的方法,并且在测定GaMnAs晶格参数的实验过程中,建立了一种消除X射线衍射仪零点漂移的方法,提高了测定晶格参数的精确度.采用该方法测试分析了离子束... 对计算化合物晶体点缺陷的模型做了改进,在此基础上建立了一种精确测定GaMnAs中Mn组分的方法,并且在测定GaMnAs晶格参数的实验过程中,建立了一种消除X射线衍射仪零点漂移的方法,提高了测定晶格参数的精确度.采用该方法测试分析了离子束外延技术制备的GaMnAs单晶中Mn组分. 展开更多
关键词 GaMnAs单晶 稀磁半导体材料 X射线衍射 晶格参数 Mn组分 晶体点缺陷 组分测定
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一种新型的超导磁场单晶炉的研制 被引量:1
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作者 吴金良 钟兴儒 +2 位作者 陈诺夫 田金法 林兰英 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2000年第4期453-456,共4页
磁场对于半导体晶体生长过程中的熔体流动模式有着明显的影响 ,因而可以改善晶体的组分和杂质的分布。在半导体单晶生长过程当中利用超导磁场来抑制熔体的对流 ,采用这种方式既可以生长出优质的单晶又可以研究熔体的对流与扩散对生长半... 磁场对于半导体晶体生长过程中的熔体流动模式有着明显的影响 ,因而可以改善晶体的组分和杂质的分布。在半导体单晶生长过程当中利用超导磁场来抑制熔体的对流 ,采用这种方式既可以生长出优质的单晶又可以研究熔体的对流与扩散对生长半导体单晶的质量影响。本文报道了新近自行设计、制造的一种新型超导磁场直拉单晶炉。 展开更多
关键词 磁场 单晶米 研制 超导磁场直拉单晶炉
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太空生长半绝缘砷化镓单晶及其应用
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作者 林兰英 张绵 +2 位作者 钟兴儒 山田正良 陈诺夫 《中国科学(E辑)》 CSCD 1999年第5期400-404,共5页
在返回式卫星上搭载生长了砷化镓单晶 ,Hall分析表明空间生长的砷化镓单晶呈半绝缘特性 .空间生长的半绝缘砷化镓单晶的结构特性得到了明显改善 ,均匀性提高 .与地面生长的半绝缘砷化镓单晶相比 ,空间生长的半绝缘砷化镓单晶的化学配比... 在返回式卫星上搭载生长了砷化镓单晶 ,Hall分析表明空间生长的砷化镓单晶呈半绝缘特性 .空间生长的半绝缘砷化镓单晶的结构特性得到了明显改善 ,均匀性提高 .与地面生长的半绝缘砷化镓单晶相比 ,空间生长的半绝缘砷化镓单晶的化学配比及其均匀性得到了显著改善 .以空间生长半绝缘砷化镓单晶为基底 ,采用直接离子注入工艺制造的模拟开关集成电路的特性好于地面材料 .证明半绝缘砷化镓单晶的化学配比对相关器件的性能影响严重 . 展开更多
关键词 砷化镓 单晶 太空生长 微重力 集成电路
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Outer space grown semi-insulating GaAs and its applications
8
作者 林兰英 张绵 +2 位作者 钟兴儒 陈诺夫 Masayoshi Yamada 《Science China(Technological Sciences)》 SCIE EI CAS 1999年第5期456-461,共6页
GaAs single crystal has been grown in recoverable satellite. Hall measurements indicate that the GaAs shows semi-insulating behavior. The structural properties of the crystal have been improved obviously, and their un... GaAs single crystal has been grown in recoverable satellite. Hall measurements indicate that the GaAs shows semi-insulating behavior. The structural properties of the crystal have been improved obviously, and their uniformity has been improved as well. The stoichiometry and its distribution in space-grown GaAs are improved greatly compared with the GaAs single crystal grown terrestrially. The properties of integrated circuits made by direct ion-implantation on space-grown GaAs are better than those made on ground-grown materials. These results show that the stoichiometry in semi-insulating GaAs seriously affects the properties of related devices. 展开更多
关键词 GAAS outer-space MICROGRAVITY integrated-circuit.
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