GaN基异质外延生长的ZnO单晶电输运特性研究

报道了一种新方法生长的ZnO单晶的电输运特性,利用该方法在GaN外延膜表面生长了尺寸为25 mm×25 mm,平均厚度7 mm的ZnO单晶块。通过研究ZnO单晶不同深度处的电输运特性,判断了ZnO单晶内部不同位置的结晶质量。以GaN表面为起始面,沿[0002]方向,随着距GaN表面距离的增加,常温下的ZnO单晶载流子浓度从1.28×10^19降到4.00×10^17 cm^-3,载流子迁移率从64.9升至144 cm^2/(V·s),电阻率从7.53×10^-3升至1.09×10^-1Ω·cm。位错密度计算结果表明,随着远离GaN衬底,晶体内位错密度逐渐减少,二次离子质谱测试结果中,Ga+等杂质含量随着远离GaN衬底逐渐减少,在距离GaN表面约4 mm以后,主要杂质含量明显降低。由此表明,采用价格相对较低的GaN衬底可以获得较大尺寸,品质较好的ZnO单晶。

基于中子衍射的氧化锌单晶应力空间分布研究

与传统应力分布分析方法相比,基于中子衍射的单晶应力分布分析具有无损,穿透深度大(厘米级)等优势。本工作采用残余应力中子衍射仪对化学气相输运法生长的氧化锌单晶块体进行了残余应力测试和分析,结果表明利用该方法生长的氧化锌单晶内部残余应力空间分布随时间增加而变化的趋势,应力分布不对称转为对称,且应力的绝对值再变小,表明这种方法有助于生长残余应力较小的氧化锌单晶块体。

软件静态安全检测技术研究

安全性是软件质量的一个重要属性。软件安全性是软件在受到恶意攻击时仍提供所需功能的能力。多数软件的安全性问题主要源自于本身，其自身的漏洞往往被攻击者利用，从而成为软件安全的隐患。软件安全检测技术的主要作用就是检测软件中存在的安全问题，从而指导软件进行安全性能的改善。