三种钝化膜的比较与分析

本文简述了集成电路中常用的聚酰亚胺、磷蒸汽处理SiO_2覆盖、SiO_2和Si_3N_4混合膜三种表面钝化工艺,并对其特征作了一些分析。提出了根据集成电路的性能要求和所选择后工序的条件,恰当地选择一种钝化膜的方法和原则。

一种新的V形槽腐蚀方法

本文介绍一种新的V形槽腐蚀方法。这种方法是在原KOH腐蚀剂的基础上,增加异丙醇,乙醇等缓冲剂和严格温度控制,获得良好的V形槽,电路芯片面积可以进一步减小。同时,为了便于磨抛,在电路划片间距内增设磨抛标志,保证单晶层厚度和质量。

用5微米工艺设备加工1～2微米窄条的光刻技术

本文介绍了利用现有5μm工艺设备进行1～2μm窄条的光刻技术,着重对光刻SiO_2窄条和金属连线方面作了具体的介绍。对优化的“发射区两次错位光刻”和“多晶发射极自对准”工艺技术作了较详细的叙述。

X441对数放大器的原理及其应用

本文主要介绍X441单片对数放大器的基本原理和应用,并列举了一些具体应用电路。