基于改进SqueezeNet的光伏阵列故障诊断

光伏阵列常受极端条件影响,易产生各种故障,影响电力系统安全运行。为了提高光伏阵列故障诊断模型的综合性能,提出了一种基于改进SqueezeNet的轻量化光伏阵列故障诊断模型,用于对短路、断路、阴影、老化故障的精确诊断。采用深度卷积代替传统卷积降低模型的参数计算量,使用通道洗牌操作提高模型的特征交互能力,并加入残差连接允许信息在层与层之间流通。基于光伏阵列的I-U和P-U曲线,构建了I,U,P三维通道特征图作为模型的输入。实验结果表明,所提模型能够准确地进行故障分类,平均准确率为99.65%,优于其他对比模型,且相较于其他模型,所提模型在保持高准确率的同时,大幅降低了计算复杂度,可实现光伏阵列故障的实时在线诊断。

Cu/Sn原子比对溅射法制备的Cu2SnS3薄膜性能的影响

利用磁控溅射法在玻璃基片上沉积Sn/Cu叠层前驱体并将前驱体在H2S:N2气氛中硫化制备Cu2SnS3薄膜。制备出Cu/Sn原子比不同的薄膜样品,利用X射线衍射仪、拉曼光谱仪、扫描隧道显微镜、紫外-可见-近红外分光光度计、Hall测量系统等表征手段对薄膜进行性能表征。研究了Cu/Sn原子比对Cu2SnS3薄膜性能的影响。结果表明,制备的薄膜是(^-131)晶向择优生长的Cu2SnS3多晶薄膜,当Cu2SnS3薄膜的Cu/Sn原子比为1.91时,获得结晶性能优异、半导体性能满足太阳电池对吸收层要求的P型Cu2SnS3半导体薄膜,此薄膜在其光学吸收边具有较高的光吸收系数2.07×10^4 cm^-1、合适的载流子浓度6.6×10^18 cm^-3、较高的载流子迁移率5.1 cm^2 v^-1s^-1及较窄的禁带宽度0.97 eV。