1－MeV电子辐照对Al_xGa_（1－x）As／GaAs异质面太阳电池性能的影响

对ＡｌｘＧａｌ－ｘＡｓ／ＧａＡｓ异质面太阳电池经ｌ－ＭｅＶ电子辐照前后的性能变化进行实验研究和数值拟合分析．讨论了电池性能衰退的主要原因，并提出了如何提高ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ异质面太阳电池的抗电子辐照能力的方法．

Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs太阳电池

本文报道了Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs太阳电池的制备以及影响其性能的某些因素,还报道了有关电池的环模试验和空间标定试验情况及结果。所制的砷化镓太阳电池,面积为2×2cm^2,效率最高达到19％(AMl)。空间标定误差达到+0.24％。

半导体量子阱中自由激子稳态荧光特征

在不同晶格温度和不同激发光强度下，测量了四元系ＧａＩｎＡｓＳｂ／ＧａＡｌＡｓＳｂ单量子阱中自由激子的荧光光谱，导出了稳态光谱测量条件下自由激子荧光强度与激发光强度和晶格温度的一般性公式．计算结果表明，激子相对占有数引起的温度和密度效应会影响激子发光的强度关系．根据本文的简单模型，线性比例系数Ｉ／Ｉ０实际上综合地反映了量子阱中自由激子的荧光效率，而从激子荧光强度的Ａｒｈｅｎｉｕｓ图的最佳拟合中不仅可以得到激子的束缚能和激活能，而且还能估计出量子阱材料的本底浓度和散射时间常数．