期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到2篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
铝插入层对硅基AlN外延特性的影响
1
作者 胡懿彬 郝智彪 +3 位作者 胡健楠 钮浪 汪莱 罗毅 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2012年第6期826-829,共4页
采用等离子体辅助分子束外延(PA-MBE)研究了Al金属插入层对Si(111)衬底上AlN薄膜材料生长的影响。结果证明,Al插入层可改善AlN外延层的晶体质量,而且引入Al预扩散机制可消除外延表面的孔隙。同时,采用AlN插入层预扩散有利于获得Al极性的... 采用等离子体辅助分子束外延(PA-MBE)研究了Al金属插入层对Si(111)衬底上AlN薄膜材料生长的影响。结果证明,Al插入层可改善AlN外延层的晶体质量,而且引入Al预扩散机制可消除外延表面的孔隙。同时,采用AlN插入层预扩散有利于获得Al极性的AlN,否则倾向于获得N极性的AlN。 展开更多
关键词 PA-MBE ALN Al插入层 SI衬底
下载PDF
分子束外延生长InGaN/AlN量子点的组分研究 被引量：1
2
作者 胡懿彬 郝智彪 +3 位作者 胡健楠 钮浪 汪莱 罗毅 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第23期479-483,共5页
报道了分子束外延生长的绿光波段InGaN/AlN量子点材料,并综合考虑InGaN量子点的应变弛豫,以及应力和量子限制斯塔克效应对量子点发光波长的影响,提出了一种结合反射式高能电子衍射原位测量与光致荧光测量确定InGaN量子点组分的方法.
关键词 INGAN 量子点 反射式高能电子衍射
原文传递
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部