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铝插入层对硅基AlN外延特性的影响
1
作者
胡懿彬
郝智彪
+3 位作者
胡健楠
钮浪
汪莱
罗毅
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第6期826-829,共4页
采用等离子体辅助分子束外延(PA-MBE)研究了Al金属插入层对Si(111)衬底上AlN薄膜材料生长的影响。结果证明,Al插入层可改善AlN外延层的晶体质量,而且引入Al预扩散机制可消除外延表面的孔隙。同时,采用AlN插入层预扩散有利于获得Al极性的...
采用等离子体辅助分子束外延(PA-MBE)研究了Al金属插入层对Si(111)衬底上AlN薄膜材料生长的影响。结果证明,Al插入层可改善AlN外延层的晶体质量,而且引入Al预扩散机制可消除外延表面的孔隙。同时,采用AlN插入层预扩散有利于获得Al极性的AlN,否则倾向于获得N极性的AlN。
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关键词
PA-MBE
ALN
Al插入层
SI衬底
下载PDF
职称材料
分子束外延生长InGaN/AlN量子点的组分研究
被引量:
1
2
作者
胡懿彬
郝智彪
+3 位作者
胡健楠
钮浪
汪莱
罗毅
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第23期479-483,共5页
报道了分子束外延生长的绿光波段InGaN/AlN量子点材料,并综合考虑InGaN量子点的应变弛豫,以及应力和量子限制斯塔克效应对量子点发光波长的影响,提出了一种结合反射式高能电子衍射原位测量与光致荧光测量确定InGaN量子点组分的方法.
关键词
INGAN
量子点
反射式高能电子衍射
原文传递
题名
铝插入层对硅基AlN外延特性的影响
1
作者
胡懿彬
郝智彪
胡健楠
钮浪
汪莱
罗毅
机构
清华大学电子工程系清华信息科学与技术国家实验室(筹)
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第6期826-829,共4页
基金
国家自然科学基金项目(61176015
51002085)
文摘
采用等离子体辅助分子束外延(PA-MBE)研究了Al金属插入层对Si(111)衬底上AlN薄膜材料生长的影响。结果证明,Al插入层可改善AlN外延层的晶体质量,而且引入Al预扩散机制可消除外延表面的孔隙。同时,采用AlN插入层预扩散有利于获得Al极性的AlN,否则倾向于获得N极性的AlN。
关键词
PA-MBE
ALN
Al插入层
SI衬底
Keywords
PA-MBE
AlN
Al interlayer
Si substrate
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
分子束外延生长InGaN/AlN量子点的组分研究
被引量:
1
2
作者
胡懿彬
郝智彪
胡健楠
钮浪
汪莱
罗毅
机构
清华信息科学与技术国家实验室(筹)
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第23期479-483,共5页
基金
国家自然科学基金(批准号:61176015
61176059
+7 种基金
60723002
60977022
51002085)
国家重点基础研究发展计划(批准号:2011CB301902
2011CB301903)
国家高技术研究发展计划(批准号:2011AA03A112
2011AA03A106
2011AA03A105)资助的课题~~
文摘
报道了分子束外延生长的绿光波段InGaN/AlN量子点材料,并综合考虑InGaN量子点的应变弛豫,以及应力和量子限制斯塔克效应对量子点发光波长的影响,提出了一种结合反射式高能电子衍射原位测量与光致荧光测量确定InGaN量子点组分的方法.
关键词
INGAN
量子点
反射式高能电子衍射
Keywords
InGaN, quantum dots, reflection high-energy electron diffraction
分类号
O471.1 [理学—半导体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
铝插入层对硅基AlN外延特性的影响
胡懿彬
郝智彪
胡健楠
钮浪
汪莱
罗毅
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2012
0
下载PDF
职称材料
2
分子束外延生长InGaN/AlN量子点的组分研究
胡懿彬
郝智彪
胡健楠
钮浪
汪莱
罗毅
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
1
原文传递
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
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