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CoSb_3纳米薄膜的制备与热电性能(英文)
被引量:
2
1
作者
李磊
刘宪云
+1 位作者
钱忠建
江兴方
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第2期164-168,共5页
通过对低压化学气相沉积制得的CoSb3纳米薄膜在300~800K温度范围内的热电性能测试,发现其电阻率较其他单晶CoSb3块状样品低一个量级,热导率值在1.08~4.05 Wm-1 K-1之间,比单晶CoSb3低得多.这表明纳米结构导致热导率显著降低,最高热电优...
通过对低压化学气相沉积制得的CoSb3纳米薄膜在300~800K温度范围内的热电性能测试,发现其电阻率较其他单晶CoSb3块状样品低一个量级,热导率值在1.08~4.05 Wm-1 K-1之间,比单晶CoSb3低得多.这表明纳米结构导致热导率显著降低,最高热电优值在773K出现且为0.114.这种纳米薄膜材料在研制新型高效热电半导体方面极具应用前景.
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关键词
纳米材料
CoSb3
低压化学气相沉积
热电性
半导体
下载PDF
职称材料
题名
CoSb_3纳米薄膜的制备与热电性能(英文)
被引量:
2
1
作者
李磊
刘宪云
钱忠建
江兴方
机构
常州大学数理学院
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第2期164-168,共5页
基金
The Scientific Research Foundation for Returned Scholars and the Ministry of Education of China(No.46)
文摘
通过对低压化学气相沉积制得的CoSb3纳米薄膜在300~800K温度范围内的热电性能测试,发现其电阻率较其他单晶CoSb3块状样品低一个量级,热导率值在1.08~4.05 Wm-1 K-1之间,比单晶CoSb3低得多.这表明纳米结构导致热导率显著降低,最高热电优值在773K出现且为0.114.这种纳米薄膜材料在研制新型高效热电半导体方面极具应用前景.
关键词
纳米材料
CoSb3
低压化学气相沉积
热电性
半导体
Keywords
Nanomaterials
CoSb3
Low pressure chemical vapor deposition
Thermoelectric properties
Semiconductors
分类号
O472.7 [理学—半导体物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
CoSb_3纳米薄膜的制备与热电性能(英文)
李磊
刘宪云
钱忠建
江兴方
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
2
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职称材料
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