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CoSb_3纳米薄膜的制备与热电性能(英文) 被引量:2
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作者 李磊 刘宪云 +1 位作者 钱忠建 江兴方 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第2期164-168,共5页
通过对低压化学气相沉积制得的CoSb3纳米薄膜在300~800K温度范围内的热电性能测试,发现其电阻率较其他单晶CoSb3块状样品低一个量级,热导率值在1.08~4.05 Wm-1 K-1之间,比单晶CoSb3低得多.这表明纳米结构导致热导率显著降低,最高热电优... 通过对低压化学气相沉积制得的CoSb3纳米薄膜在300~800K温度范围内的热电性能测试,发现其电阻率较其他单晶CoSb3块状样品低一个量级,热导率值在1.08~4.05 Wm-1 K-1之间,比单晶CoSb3低得多.这表明纳米结构导致热导率显著降低,最高热电优值在773K出现且为0.114.这种纳米薄膜材料在研制新型高效热电半导体方面极具应用前景. 展开更多
关键词 纳米材料 CoSb3 低压化学气相沉积 热电性 半导体
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