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一种超深亚微米SRAM存储单元的设计方法 被引量：1
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作者 钱榴源 陈则王 《佳木斯大学学报（自然科学版）》 CAS 2012年第2期213-217,共5页
首先分析了静态随机存储器(SRAM)6T存储单元结构的基本工作原理,为缩短仿真时间,构建了一种简化的SRAM电路,并通过仿真证实了此简化电路具有正确的读、写功能.鉴于本文仿真在TSMC180nm工艺下进行,且结合存储单元的W/L比例限制,最终选取... 首先分析了静态随机存储器(SRAM)6T存储单元结构的基本工作原理,为缩短仿真时间,构建了一种简化的SRAM电路,并通过仿真证实了此简化电路具有正确的读、写功能.鉴于本文仿真在TSMC180nm工艺下进行,且结合存储单元的W/L比例限制,最终选取了一组可行的晶体管尺寸.本文仿真均通过Hspice电路仿真软件进行仿真、验证. 展开更多
关键词 静态随机存储器 超深亚微米 6T存储单元 尺寸 仿真
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