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注意缺陷多动障碍患儿事件相关电位N400研究 被引量:3
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作者 吕坚 黄军斌 +6 位作者 吴荣琴 李桦 孙复林 徐璐 钱玲萍 陈兴时 杜亚松 《临床精神医学杂志》 2015年第1期33-35,共3页
目的:探讨注意缺陷多动障碍(ADHD)患儿汉语句子结尾词匹配和非匹配语言时相关电位(ERP)N400的变化。方法:应用ERP仪,采用汉语正常句子结尾词匹配与非匹配的范式,对35例ADHD患儿(ADHD组)和41名正常儿童(正常对照组)进行视觉诱发电位N400... 目的:探讨注意缺陷多动障碍(ADHD)患儿汉语句子结尾词匹配和非匹配语言时相关电位(ERP)N400的变化。方法:应用ERP仪,采用汉语正常句子结尾词匹配与非匹配的范式,对35例ADHD患儿(ADHD组)和41名正常儿童(正常对照组)进行视觉诱发电位N400检测。结果:在Cz脑区匹配及非匹配条件下,ADHD组N400潜伏期[(384±45)ms,(436±35)ms]比正常对照组[(348±32)ms,(399±29)ms]显著延迟(P均<0.01);波幅ADHD组[(4.2±4.5)μV,(7.5±5.1)μV]显著低于正常对照组[(7.6±5.0)μV,(12.4±6.5)μV](P均<0.01)。结论:ADHD患儿N400异常,N400检测可能成为判断注意缺陷多动障碍的客观指标。 展开更多
关键词 注意缺陷多动障碍 视觉诱发电位 N400
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心电图ST-T改变临床诊断价值研究 被引量:5
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作者 钱玲萍 《中国民族民间医药》 2010年第6期33-33,共1页
心电图作为最简单、最常用、最经济的无创性诊断方法,在临床上广泛应用于心病心肌缺血的初步诊断。但在临床上引起缺血性ST-T改变的原因很多,除了冠心病,比较常见的疾病还包括高血压性心脏病、原发性心肌病、瓣膜性心脏病、心包炎等等,... 心电图作为最简单、最常用、最经济的无创性诊断方法,在临床上广泛应用于心病心肌缺血的初步诊断。但在临床上引起缺血性ST-T改变的原因很多,除了冠心病,比较常见的疾病还包括高血压性心脏病、原发性心肌病、瓣膜性心脏病、心包炎等等,位改变、过度换气等正常生理状态和药物影响下也可出现ST-T改变。 展开更多
关键词 心电图 ST—T改变 冠心病
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注意缺陷多动障碍儿童哌醋甲酯治疗前后错误监控功能的动态观察 被引量:2
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作者 吕坚 宋立升 +7 位作者 黄军斌 吴荣琴 李桦 孙复林 徐璐 钱玲萍 陈兴时 杜亚松 《国际精神病学杂志》 2014年第2期65-68,共4页
目的探讨注意缺陷多动障碍儿童的错误相关负电位(error-related negativity,ERN)变化与治疗的关系。方法应用德国Brain Products公司的ERP记录与分析系统,对38例ADHD和30名健康儿童作了ERN检测。结果 (1)注意缺陷多动障碍组的正确反应... 目的探讨注意缺陷多动障碍儿童的错误相关负电位(error-related negativity,ERN)变化与治疗的关系。方法应用德国Brain Products公司的ERP记录与分析系统,对38例ADHD和30名健康儿童作了ERN检测。结果 (1)注意缺陷多动障碍组的正确反应率明显低于健康儿童组,正确反应和错误反应的反应时明显比健康儿童组长。(2)与健康儿童组相比,注意缺陷多动障碍ERN潜伏期在Cz、Oz、C3和C4上明显延迟,波幅(Cz、C3、Oz、Pz)较健康儿童组低。(3)患者组在治疗后6月、18月随访时,ERN潜伏期和波幅差异无显著性(P>0.05)。结论注意缺陷多动障碍儿童的ERN潜伏期和波幅异常,可能反映了本组儿童内在错误监控机制存在缺陷。随访ERN变化可能是一种属性标志。 展开更多
关键词 注意缺陷多动障碍 错误相关负电位 事件相关脑电位 生物学标记
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注意缺陷多动障碍儿童的错误相关负电位的检测 被引量:1
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作者 吕坚 黄军斌 +5 位作者 吴荣琴 李桦 孙复林 徐璐 钱玲萍 陈兴时 《神经病学与神经康复学杂志》 2012年第3期106-108,共3页
目的探讨注意缺陷多动障碍(ADHD)患儿的错误相关负电位(ERN)的变化特点。方法应用事件相关脑电位仪,对30例ADHD患儿和30名健康儿童做ERN检测并比较。结果与健康儿童相比,ADHD患儿的正确反应率明显降低、正确反应和错误反应的反应时明显... 目的探讨注意缺陷多动障碍(ADHD)患儿的错误相关负电位(ERN)的变化特点。方法应用事件相关脑电位仪,对30例ADHD患儿和30名健康儿童做ERN检测并比较。结果与健康儿童相比,ADHD患儿的正确反应率明显降低、正确反应和错误反应的反应时明显延长;ERN潜伏期(Cz、Fz、C3和C4)明显延迟、波幅(Cz、C3、Fz和Pz)降低。结论 ADHD患儿的ERN潜伏期和波幅异常,可能反映了患者内在错误监控机制存在缺陷。 展开更多
关键词 注意缺陷多动障碍 错误相关负电位 事件相关电位
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30名健康儿童的感觉门控P_(50)研究
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作者 吕坚 黄军斌 +5 位作者 吴荣琴 李桦 孙复林 徐璐 钱玲萍 陈兴时 《神经病学与神经康复学杂志》 2012年第1期4-6,共3页
目的应用诱发电位新技术探讨健康儿童感觉门控(SG)P50特点。方法应用美国Nicolet脑电生理仪,采用条件刺激(S1)-测试刺激(S2)模式对30名健康儿童进行听觉P50检测。结果健康儿童Cz脑区S1-P50潜伏期(60.7±11.9)ms,波幅(5.7±3.3)... 目的应用诱发电位新技术探讨健康儿童感觉门控(SG)P50特点。方法应用美国Nicolet脑电生理仪,采用条件刺激(S1)-测试刺激(S2)模式对30名健康儿童进行听觉P50检测。结果健康儿童Cz脑区S1-P50潜伏期(60.7±11.9)ms,波幅(5.7±3.3)μV;S2-P50潜伏期(65.4±22.0)ms,波幅(2.4±1.3)μV。S2-P50波幅显著低于S1-P50(P<0.01)。S2/S1比值为(42.8±21.0)%;S1-S2波幅和100(1-S2/S1)波幅分别为(3.3±2.6)μV和(57.9±21.0)μV。结论听觉P50电位具有抑制性特征,其变化可反映大脑健康儿童SG的功能状态。 展开更多
关键词 健康儿童 诱发电位 P50 感觉门控
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