期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
SiO_2中空微球对高温硫化硅橡胶电气绝缘性能的影响
被引量:
3
1
作者
钱西慧
张冬海
+3 位作者
薛杨
李晓飞
李文辉
陈运法
《过程工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第5期781-787,共7页
采用模板法制备了尺度均一的Si O_2中空微球(HSS),将其均匀分散于高温硫化硅橡胶(HTV)中制成HSS/HTV复合材料,分析了HSS的形貌及壁厚,考察了其对硅橡胶电气绝缘性能的影响及其与硅橡胶基体的相互作用.结果表明,HSS对硅橡胶的体积电阻率...
采用模板法制备了尺度均一的Si O_2中空微球(HSS),将其均匀分散于高温硫化硅橡胶(HTV)中制成HSS/HTV复合材料,分析了HSS的形貌及壁厚,考察了其对硅橡胶电气绝缘性能的影响及其与硅橡胶基体的相互作用.结果表明,HSS对硅橡胶的体积电阻率、击穿强度、介电常数及介电损耗均有较明显的影响,优于同等含量的气相Si O_2/HTV复合材料.加入HSS后,复合材料的体积电阻率由纯硅橡胶的5.3×1015Ω·cm提升至1017Ω·cm数量级,但随HSS含量增大略有下降;击穿强度随HSS含量增加而增大,含量为0.05 g/g时达21.6 k V/mm,比纯硅橡胶提高了26.3%;介电常数随HSS含量增大先降低后升高,含量为0.02 g/g时最低;介电损耗随HSS含量增大略有增大,但仍较低.
展开更多
关键词
SiO2中空微球
硅橡胶
复合材料
电气绝缘性能
原文传递
题名
SiO_2中空微球对高温硫化硅橡胶电气绝缘性能的影响
被引量:
3
1
作者
钱西慧
张冬海
薛杨
李晓飞
李文辉
陈运法
机构
中国科学院过程工程研究所多相复杂系统国家重点实验室
中国科学院大学
出处
《过程工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第5期781-787,共7页
基金
中国科学院战略性先导科技专项A类基金资助项目(编号:XDA09030200)
文摘
采用模板法制备了尺度均一的Si O_2中空微球(HSS),将其均匀分散于高温硫化硅橡胶(HTV)中制成HSS/HTV复合材料,分析了HSS的形貌及壁厚,考察了其对硅橡胶电气绝缘性能的影响及其与硅橡胶基体的相互作用.结果表明,HSS对硅橡胶的体积电阻率、击穿强度、介电常数及介电损耗均有较明显的影响,优于同等含量的气相Si O_2/HTV复合材料.加入HSS后,复合材料的体积电阻率由纯硅橡胶的5.3×1015Ω·cm提升至1017Ω·cm数量级,但随HSS含量增大略有下降;击穿强度随HSS含量增加而增大,含量为0.05 g/g时达21.6 k V/mm,比纯硅橡胶提高了26.3%;介电常数随HSS含量增大先降低后升高,含量为0.02 g/g时最低;介电损耗随HSS含量增大略有增大,但仍较低.
关键词
SiO2中空微球
硅橡胶
复合材料
电气绝缘性能
Keywords
silica hollow sphere
silicone rubber
composite
electrical insulation property
分类号
TQ333.93 [化学工程—橡胶工业]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
SiO_2中空微球对高温硫化硅橡胶电气绝缘性能的影响
钱西慧
张冬海
薛杨
李晓飞
李文辉
陈运法
《过程工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2016
3
原文传递
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部