南京电子器件研究所一九八六年度科研成果介绍

南京电子器件研究所一九八六年度有39项科研成果分别通过了部(省)、局级和所级鉴定(其中部(省)、局级鉴定13项)。来自大专院校,有关厂所的教授、专家、工程技术人员及上级领导机关代表参加了成果鉴定工作,并对提请鉴定成果的技术水平给予了高度评价。鉴定的成果涉及微波半导体和光电两个专业。现将半导体专业部分的项目介绍如下:

南京电子器件研究所研制成功微波单片组装模块

南京电子器件研究所在研制成功MMIC的基础上,用多芯片微波组装技术,研制成功了四种接收机前端。 (1)C波段前端 由单片低噪声放大器、单片混频器及单片前置中频放大器组成。整个前端封装于20mm×25mm×5mm的管壳中构成小型模块。信号频率为C波段,中频为40～1000MHz,本振功率5mW,总增益大于30dB,噪声系数典型值3dB,最优值2.5dB。 (2)脉冲接收机前端 包括单片开关、单片低噪声放大器、单片混频器三部分,组装于20mm×25mm×5mm管壳中,重量为6克。工作频率为C波段,开关隔离度大于40dB,噪声系数小于8dB。 (3)前置放大器模块 该模块组装于9mm×l8mm×4mm微带管壳内,也工作于C波段,含有AGC功放,AGC范围0～18dB,输出功率P_(-1dB)分别为35,150,580mW三种,用户可根据需要组合成功率放大链。 (4)脉冲前置放大器模块 模块尺寸与(3)同,C波段性能为P_(-1dB)150,580mW。

南京电子器件研究所1989年度科研成果介绍之二

一九八九年南京电子器件研究所在科研工作中取得了丰硕的成果,已经通过鉴定的项目共41项.其中微波半导体专业34项,光电专业7项.12月19日在南京召开了部分科研成果鉴定会,对18项成果进行了专家评议鉴定.其中半导体专业15项,光电专业3项.大部分成果处于国内领先地位,部分达到目前国际先进水平.现将半导体专业的部分鉴定项目介绍如下: