Fe^+辐照引起Si-SiO_2结构变化的研究

用X射线光电子能谱仪(XPS)研究了经Fe^+辐照后Si-SiO_2表面和界面的结构、化学成分和化学状态的变化。实验结果表明,辐照后的样品在SiO_2表面产生了纯硅的微区结构,Si-SiO_2界面过渡层厚度增宽近一倍,并导致MOS电容的失效。分析了铁离子注入引起上述变化的物理机制。