碘化汞单晶生长原料的提纯

本文报道了以升华－蒸馏法提纯碘化汞的结果。用纯化后的原料长出碘化汞单晶体，对晶体的性能进行了观测，表明采用这种方法所获得的原料适用于生长低位错密度的优质的碘化汞大单晶体，是一种行之有效的提纯方法。

光电落球粘度计的研制

光电落球粘度计的研制赵北君，朱世富，李正辉，银淑君（四川大学材料科学系）傅师申（成都科技大学纺织化学工程系）聚合物流体的粘度是聚合物材料研制和生产工艺过程中非常重要的宏观中间控制指标之一。聚合物浓溶液的粘度与聚合物的分子量、浓度、温度及受力状态密切相...

碘化汞半导体探测器的能量分辨率

介绍了ＨｇＩ２晶体的生长方法及探测器制备技术；讨论了ＨｇＩ２半导体探测器的能量分辨率，测得ＨｇＩ２探测器在室温下对５５Ｆｅ５．９ｋｅＶ和２４１Ａｍ５９．５ｋｅＶ射线的能量分辨率（ＦＷＨＭ）分别为１．３ｋｅＶ和３．４ｋｅＶ。

硒镓银晶体加工工艺

硒镓银（ＡｇＧａＳｅ２）晶体是一种ⅠⅢⅥ２族三元化合物半导体，黄铜矿结构，４－２ｍ点群。它是一种性能优异的中远红外非线性光学材料，可透过０．７３～２１μｍ的红外光，非线性系数大（ｄ３６＝４３×１０－１２ｍ／Ｖ），具有适宜的双折射，对３～１８μｍ范围的二次谐波能实现相位匹配，还可进行三波混频和光参量振荡。用硒镓银晶体制作的倍频、混频和光参量振荡器件，能在３～１８μｍ红外范围内提供多种频率的光源，而且在相当宽范围内连续可调，这在激光和军事技术方面有广泛用途。本文简要介绍硒镓银晶体定向切割及倍频器件加工工艺。实验所用晶体为本实验室采用改进Ｂｒｉｄｇｍａｎ法生长出的ＡｇＧａＳｅ２晶体。在晶锭表面有一些取向一致的半开放性小孔，它们是由于ＡｇＧａＳｅ２晶体生长习性所导致的。用激光正反射法研究表明，这些小孔内部大都存在四个方向的显露面，用Ｘ射线衍射分析可进一步确定这些显露面属于｛１０１｝、｛１１２｝单形晶面族。硒镓银晶体光轴沿［００１］方向，即晶体ｃ轴方向。对于１０．６μｍＣＯ２基频光的第Ⅰ类相位匹配角θｍ为５７．５℃，此角即为以光轴为轴，基频光波矢为母线的正圆锥半顶角。因ＡｇＧａＳｅ２晶体［１０１］方向与ｃ轴夹角为６１?

碘化汞单晶体的生长习性研究

碘化汞单晶体的生长习性研究李正辉李伟堂赵北君朱世富银淑君陈观雄（四川联合大学材料科学系，成都６１００６４）ＳｔｕｄｉｅｓｏｆＧｒｏｗｔｈＨａｂｉｔｓｏｆｔｈｅＨｇＩ２ＳｉｎｇｌｅＣｒｙｓｔａｌＬｉＺｈｅｎｇｈｕｉＬｉｗｅｉｔａｎｇＺｈａｏＢｅｉｊｕｎ...

硒镓银晶体的生长与品质研究

采用５～６Ｎ的高纯Ａｇ，Ｇａ，Ｓｅ单质按ＡｇＧａＳｅ２的化学配比配料，在１１００℃下合成了单相的ＡｇＧａＳｅ２多晶原料．用改进的布里奇曼法生长出２２ｍｍ×７０ｍｍ的ＡｇＧａＳｅ２单晶体，并对其品质进行了研究．结果表明：生长的晶体完整性好，具有较高的光学质量，用于对１０．６μｍ的ＣＯ２激光倍频，获得了８．

碘化汞晶体的品质鉴定

用气相定点成核法（ＶＰＬＰＭ）生长出碘化汞单晶体，借助光电流、紫外┐可见光谱、傅里叶变换红外（ＦＴＩＲ）光谱和拉曼谱的测量来表征．结果表明，碘化汞晶体中不含Ｈｇ２Ｉ２杂质。

退火对硒镓银单晶中富Ga_2Se_3第二相脱溶物的影响

硒镓银单晶体在ＡｇＧａＳｅ２粉末包裹下进行了退火．差热分析和红外透过率的测量结果表明，晶体中富Ｇａ２Ｓｅ３第二相脱溶物被消除。

Room temperature HgI_2 nuclear radiation detector

Ｒｏｏｍ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ＨｇＩ＿２ ｎｕｃｌｅａｒ ｒａｄｉａｔｉｏｎ ｄｅｔｅｃｔｏｒＬｉＷｅｉ－Ｔａｎｇ（李伟堂），ＬｉＺｈｅｎｇ－Ｈｕｉ（李正辉），ＺｈｕＳｈｉ－Ｆｕ（朱世富），ＹｉｎＳｈｕ－Ｊｕｎ（银淑君），ＺｈａｏＢｅｉ－Ｊｕｎ（...