GeSb_2Te_4相变光存储薄膜材料的短波长静态记录特性的研究

研究了单层ＧｅＳｂ２Ｔｅ４真空射频溅射薄膜在４００ｎｍ～８３０ｎｍ区域的吸收、反射光谱和光学常数（ｎ，ｋ），发现ＧｅＳｂ２Ｔｅ４薄膜在４００ｎｍ～６００ｎｍ波长范围内具有较强的吸收。在短波长静态测试仪上测试了ＧｅＳｂ２Ｔｅ４薄膜的光存储记录特性，发现在５１４．５ｎｍ波长用较低功率的激光辐照样品时薄膜在写入前后的反射率变化较大，擦除前后的反射率对比度较低。

磁控溅射法制备的高反Ag_5In_5Te_(47)Sb_(33)相变薄膜的光谱性质及短波长静态记录性能

研究了磁控溅射制备的Ａｇ５Ｉｎ５Ｔｅ４７Ｓｂ３３相变薄膜的光谱及短波长静态记录性能。研究结果表明，晶态薄膜反射率较高，并在６００～９００ｎｍ波长范围内，晶态与非晶态的反射率和折射率相差很大。在ＣＤ－Ｅ系统的工作波长７８０ｎｍ处，晶态反射率高达５０％，光学常数为５．３４－１．０ｉ；非晶态反射率为２３％，光学常数为２．５－１．０３ｉ。从这一角度讲，Ａｇ５Ｉｎ５Ｔｅ４７Ｓｂ３３相变薄膜适于做ＣＤ－Ｅ系统的记录介质。另外，采用波长为５１４．４ｎｍ的短波长光学静态记录测试仪对Ａｇ５Ｉｎ５Ｔｅ４７Ｓｂ３３薄膜的记录性能进行了测试，结果表明，这种薄膜短波长记录性能较好，它在较低功率和短脉宽的激光束作用下就可得到较高的反射率对比度。

短波长相变光盘记录介质Ge_2Sb_2Te_5薄膜的制备及静态性能研究

研究了６３２．８ｎｍ波长下适用的相变光盘介质Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５薄膜的制备方法和静态光存诸记录特性，发现该薄膜可在１００ｎｓ条件下实现直接重写，在优化膜层结构后，写擦循环次数高达１０６。

高反射率Ag_5In_5Te_(47)Sb_(33)相变薄膜热致晶化的微观结构和光学性质的变化

对磁控射频溅射法制备的Ag5 In5 Te47Sb3 3 相变薄膜热致晶化的微观结构和光学性质的变化进行了研究 .沉积态薄膜为非晶态 ,其晶化温度为 1 6 0℃ .晶态薄膜中产生了立方晶态相AgInTe2 和AgSbTe2 及单质Sb ,2 2 0℃退火薄膜中AgSbTe2 相含量最大 .晶态薄膜的反射率高于沉积态 ,并且 2 2 0℃退火的晶态薄膜反射率最大 .2 2 0℃退火薄膜为直径约 30nm的球状AgSbTe2 相和短棒状Sb相 .

共享光栅对各向异性散射光锥的增强

在LiNbO_3:Fe晶体中双光束对称入射几何配置下观察到由共享光栅对多种各向异性散射光锥的增强(5—10倍),提出了由两组三波、四波混合共享光栅的六波、八波混合理论模型.理论计算与实验结果符合很好.

光折变存储器的研究与进展

讨论了光折变存储器的特点，介绍了它的编码方式，曝光技术，光栅固定的主要方法以及当前应用中存在的主要问题和相应的解决方法，最后展望了光折变存储器诱人的应用前景。

c向切割LiNbO＿3：Fe晶体薄片中的四波混频各向异性光散射

报道了在ｃ向切割ＬｉＮｂＯ＿３：Ｆｅ晶体薄片的前向光散射中观察到的一种新的类似鸭蛋形的各向异性衍射光环图样，并且提出了由入射光、强的背向散射光而引起的四波混频各向异性光散射机制，圆满地解释了有关实验结果。

在局域响应的LiNbO＿3：Fe晶体的多波混合

基于前向四波作用模型，在局域响应的ＬｉＮｂｏ＿３：Ｐｅ晶体中抽运光能转移是可能的．利用这个模型说明了信号光放大和高阶衍射光形成的实验结果．