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用综合场效应方法研究多层GaAs_(1-x)P_x的特性
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作者 门颖华 梁少华 胡德宝 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1989年第4期26-30,共5页
本文用一种综合场效应方法(简称 CFE),研究了用于发光二极管制作的多层异质结 GaP/GaAs_(i-x)P_x 等外延材料的某些性质,测量并计算了一系列参数;证明了某些样品各层间存在不连续性及其对发光的影响,从而提供了测量发光器件的一个方法。
关键词 光电性质 场效应法 GaAs1-xPx
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