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用综合场效应方法研究多层GaAs_(1-x)P_x的特性
1
作者
门颖华
梁少华
胡德宝
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1989年第4期26-30,共5页
本文用一种综合场效应方法(简称 CFE),研究了用于发光二极管制作的多层异质结 GaP/GaAs_(i-x)P_x 等外延材料的某些性质,测量并计算了一系列参数;证明了某些样品各层间存在不连续性及其对发光的影响,从而提供了测量发光器件的一个方法。
关键词
光电性质
场效应法
GaAs1-xPx
下载PDF
职称材料
题名
用综合场效应方法研究多层GaAs_(1-x)P_x的特性
1
作者
门颖华
梁少华
胡德宝
机构
吉林大学电子科学系
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1989年第4期26-30,共5页
文摘
本文用一种综合场效应方法(简称 CFE),研究了用于发光二极管制作的多层异质结 GaP/GaAs_(i-x)P_x 等外延材料的某些性质,测量并计算了一系列参数;证明了某些样品各层间存在不连续性及其对发光的影响,从而提供了测量发光器件的一个方法。
关键词
光电性质
场效应法
GaAs1-xPx
Keywords
Optical and Electrical Properties
分类号
TN310.1 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用综合场效应方法研究多层GaAs_(1-x)P_x的特性
门颖华
梁少华
胡德宝
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1989
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职称材料
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