无真空、低成本Mist-CVD外延制备高质量单晶NiO/Ga_(2)O_(3)p-n异质结与器件

在氧化镓(Ga_(2)O_(3))材料p型掺杂困难的背景下,Ga_(2)O_(3)p-n异质结器件在氧化镓器件的应用中起着重要作用.因此,寻找一种高效、经济的制备方法制备Ga_(2)O_(3)异质结对器件应用具有重要意义.在这项工作中,我们成功基于低成本、无真空的雾化学气相沉积(Mist-CVD)外延制备了单晶氧化镍(NiO)和β-Ga_(2)O_(3)异质结.其中,NiO(111)和β-Ga_(2)O_(3)(-201)的XRD摇摆曲线半高宽分别为0.077°和0.807°.NiO与β-Ga_(2)O_(3)之间的能带表现为Ⅱ型异质结构.基于此异质结,我们制备了准垂直器件,器件具有明显的p-n结整流特性,反向击穿电压为117 V.本工作为β-Ga_(2)O_(3)异质p-n结的制备提供了一种低成本、高质量的方法.

记第一次参加比赛

去年6月份,我参加了抚顺市首届少儿才艺大赛。我参加的是电子琴独奏和合奏。尽管我在比赛前练习得很刻苦,但我还是十分紧张。 比赛的当天早晨,我醒得很早,心里乱糟糟的,怎么也无法再次入睡,只好在心里想着要弹奏的谱子。