提拉法生长钆镓石榴石(GGG)晶体

用提拉法生长出了优质的钆镓石榴石(Gd3Ga5O12)晶体,晶体尺寸达φ35 × 70mm。详细描述 了晶体生长工艺过程,讨论了生长气氛对及坩埚形状对晶体生长的影响。

高温超导衬底材料SrLaAlO_4晶体的生长及特性

用提拉法生长了不开裂的高温超导衬底材料SrLaAlO4晶体 ,晶体尺寸为(2 5～ 30 )mm× (5 0～ 6 0 )mm。该晶体具有K2 NiF4型结构 ,晶格常数为a =0 .375nm ,c=1.2 6 3nm。生长的晶体颜色随着生长时炉膛内氧气氛的含量的增加而逐渐加深。测量了晶体的室温下的介电常数及介电损耗分别为 2 0及 8× 10 -4。

高温超导薄膜单晶基片——NdAlO_3晶体

ＮｄＡｌＯ３晶体是一种新型的高温超导薄膜和ＬＣＭＯ巨磁阻膜基片材料，具有低的介电常数和介电损耗，与ＹＢＣＯ有良好的晶格匹配。与ＬａＡｌＯ３晶体（～５００℃）相比，ＮｄＡｌＯ３晶体具有相变温度高（＞１５００℃）的优点，这样，有利于ＹＢＣＯ薄膜的外延生长。我们采用感应加热提拉法生长ＮｄＡｌＯ３晶体。铱坩锅尺寸６０×５５ｍｍ，拉速１～３ｍｍ／ｈ，转速１０～３０ｒ／ｍｉｎ，气氛Ｎ２，第一次生长采用ＬａＡｌＯ３晶体作为籽晶，＜００１＞方向生长，生长出尺寸达２５×６０ｍｍ的无云层、无气泡、无开裂、质量优良的ＮｄＡｌＯ３晶体。

蓝色GaN基LED和LD单晶基片——MgAl_2O_4晶体生长

近年来，国际上已研制成功ＧａＮ基蓝光ＬＥＤ和ＬＤ器件。为了获得高质量的ＧａＮ薄膜，必须要求基片材料具有良好的晶格匹配、优良的热稳定性和化学稳定性以及良好的机械性能等优点。ＭｇＡｌ２Ｏ４晶体是目前性能优良的ＧａＮ基片材料之一。我们采用中频感应加热提拉法生长ＭｇＡｌ２Ｏ４晶体，使用８０×７０ｍｍ的铱钳埚，拉速０．５～３ｍｍ／ｈ，转速１５～３０ｒ／ｍｉｎ。针对ＭｇＡｌ２Ｏ４晶体高熔点（２１３０℃）和ＭｇＯ易挥发的特性，设计了特殊的温场结构和原料合成工艺，已成功地生长出＜１１１＞取向、最大直径达４５ｍｍ的ＭｇＡｌ２Ｏ４晶体，晶体无云层、无气泡、无孪晶、无开裂，质量优良。已提供给国内外有关单位使用，他们已在我们的ＭｇＡｌ２Ｏ４晶片上获得高质量的ＧａＮ膜，并研制成功蓝光ＬＥＤ和ＬＤ。

高温超导及GaN衬底材料(La,Sr)(Al,Ta)O_3晶体的生长

用提拉法生长了高质量、大尺寸、具有混合钙钛矿结构的 (La ,Sr) (Al,Ta)O3 晶体 (LSAT) ,晶体尺寸达5 5mm×5 0mm。讨论了晶体生长有关工艺 ,并对晶体的完整性进行了初步研究。