C_2团簇在金刚石(111)表面吸附结构的分子动力学模拟

利用Brenner(#2)半经验多体相互作用势和分子动力学模拟方法研究荷能的C2在金刚石(111)表面的化学吸附过程.模拟300 K时,初始入射动能分别为1,20,30 eV的C2团簇从6个不同位置轰击金刚石(111)表面,观察到C2团簇在金刚石(111)表面形成的吸附结构,表面C原子键的打开以及C2团簇与表面C原子成键等物理过程,并讨论不同入射位置和入射能量对沉积团簇的结构特性的影响.结果表明,对于表面不同的局部构型,C2团簇发生不同的碰撞过程,C2团簇入射能量的提高有利于成键过程的发生,从原子尺度模拟沉积机制.

Si在Si(111)表面吸附过程的分子动力学模拟

利用Tersoff半经验多体相互作用势和分子动力学模拟方法研究了荷能的硅原子在Si(111)表面的吸附过程.对100K时,初始入射动能分别为5,15,25,30eV的硅原子从6个不同位置轰击Si(111)表面进行了模拟,观察到了硅原子在Si(111)表面形成的吸附结构,并讨论了不同入射位置和入射能量对吸附结构的影响.结果表明,硅原子相对于表面不同的局部构型发生不同的碰撞过程,而硅原子入射能量的提高有利于成键过程的发生,从原子尺度模拟了沉积机制.

H原子通过碳纳米管的分子动力学模拟

利用Brenner(#2)半经验多体相互作用势和分子动力学模拟方法研究了氢原子在单壁碳纳米管中的运动.对温度为10K时,初始入射动能分别为1,5,10,15,20,30eV的H原子以不同的入射角度进入碳纳米管进行模拟,观察了氢原子与碳纳米管的吸附情况及在碳纳米管中的运动,并讨论了不同入射能量和入射角度对氢原子在碳纳米管中吸附的影响.结果表明,在能量为20eV时H原子能够很好的吸附在碳纳米管管壁上.

Tersoff势在小分子团簇几何优化中的应用

深入分析了Tersoff势,并将Tersoff势用于优化由碳硅锗元素构成的双原子分子团簇(C2、CSi、CGe、Si2、SiGe、Ge2)及三原子分子团簇(C3、C2Si、C2Ge、CSi2、CGe2、CSiGe、Si3、Si2Ge、SiGe2、Ge3)的结构,得到了上述这些分子的最稳定结构,并将其中有些结构与从头计算、密度泛函理论和实验值进行了对比;另外,还分析了所得分子的平均结合能、键长和键角等的特点,并总结出一些规律.

由“平均力”引发的一次试题纠错

在高二电磁感应的学习结束后,进行了章测试,其中一道电磁感应与力学、能量相结合的试题及答案如下:原题如图1甲,电阻不计的轨道MON与PRQ平行放置,ON及RQ与水平面的倾角θ=53°、MO及PR部分的匀强磁场竖直向下,ON及RQ部分的磁场平行轨道向下,磁场的磁感应强度大小相同,两根相同的导体棒ab和cd分别放置在导轨上,与导轨垂直并始终接触良好.

拆分与延伸 助力科学思维升华——记一道摩擦力突变题目的纠错与探讨

本文从质疑一道经典题目的图象开始,逐一拆分题目进行设问,通过学生进行解答、分析与探讨,从定性到定量,把问题精细化、科学化,最终修正了流传久远的错误结论。