智能功率模块测试方法研究

智能功率模块作为一种新型高性能模块化半导体器件,集成驱动电路、功率器件和热管理系统等功能,可用于多种场景,目前存在现有测试方法不适用、部分参数缺少测试方法等问题。介绍了智能功率模块发展现状,梳理相关测试方法标准,分析了现有测试方法的适用性,提出了适用于智能功率模块器件的测试方法,并对主要参数进行了测试方法的验证,证明了测试方法的科学性与准确性。

国内外铜线键合拉力试验方法标准对比分析

为满足铜线键合拉力试验需求,从拉力施加位置、失效模式分类、最小拉力值以及试验结果的应用等4个方面对国内外铜线键合拉力试验方法标准的技术内容进行对比分析,并提出国内试验方法的修订建议。

相对旋转时非接触式励磁系统磁罐变压器研究

为解决新能源汽车驱动电机励磁系统中电刷与滑环对整车运行带来的安全隐患,将非接触式能量传输技术引入传统励磁系统中,形成新型的非接触式同步电机转子励磁系统。利用非接触式磁罐变压器所产生的高频功率磁场实现励磁能量传输,使系统在复杂的车载工况下安全运行。首先对非接触式磁罐变压器进行互感建模与特性分析,采用串–串并补偿系统提高能量传输效率。针对非接触式励磁系统中高频变压器的设计需求,提出两种可在原、副边相对旋转状态下进行能量传输的变压器绕组结构,用ANSOFT 3D软件比较分析这两种变压器结构在相对旋转时的瞬态特性。通过对1 k W非接触式励磁样机的实验,验证了非接触变压器可在相对高速旋转时安全、高效地进行能量传输。

非接触式励磁电源的谐振补偿分析

针对新能源汽车驱动电机励磁系统中电刷与集电环对整车运行带来安全隐患的问题,提出了一种非接触式同步电机转子励磁的方法,并采用了谐振补偿方法以提高非接触式励磁能量传输效率。研究了非接触式励磁系统的工作原理与系统结构,建立了松耦合变压器的互感模型并分析了松耦合变压器的特性,给出了非接触式励磁电源谐振补偿系统的设计原理,分析了非接触式能量传输系统的传输特性。仿真与实验结果表明:采用串联-串联谐振补偿方式可以对非接触式变压器中漏感所带来的效率损失进行有效的补偿,能够增加变压器副边电流与电压的幅值;当电源工作在完全谐振状态下时,通过谐振补偿可大幅提高非接触式同步电机励磁电源的传输效率。

CES中不同绕制拓扑松耦合旋转励磁变压器性能及分析

针对混合动力汽车用同步电机,其内部的电刷和滑环带来电接触的劣势不可避免。本文提出一种新型励磁系统,它无需电刷和滑环,称为非接触励磁系统(CES)。相对旋转部分和相对静止部分同时存在于变压器中。设计毗连型和嵌套型两种针对CES的变压器绕制拓扑进行研究。通过模型建立确定了两种拓扑的最优工作气隙。毗连型和嵌套型绕制拓扑均可以较为快速地建立起耦合磁场,毗连型绕制拓扑磁感应强度建立情况优于嵌套型绕制拓扑。最后样机得到相应的传输性能和效率参数,并进行详细分析。实验结果进一步验证了毗连型绕制拓扑对CES系统更加合理,对进一步完善非接触式励磁系统起到关键性作用,设计的CES将对混合动力汽车同步电机励磁提出一种新的思路。

CSME系统的EIV-RLS辨识建模法及其精度分析

非接触式同步电机励磁(CSME)系统因其补偿网络与拓扑电路的多样性,对建模方法的通用性与可移植性要求很高。针对传统建模方法严重依赖明确的电路拓扑和系统工作状态的缺点,提出初值为估计值的递推最小二乘(EIV-RLS)辨识建模法。采样CSME系统的输入、输出数据后,先进行数据变换,利用赤池信息准则(AIC)判断系统阶次,通过EIV-RLS算法得到系统参数估计值,建立系统的小信号模型。通过Matlab/Simulink软件,以串-串(S-S)型半桥-全波CSME系统为建模对象,分别对最小二乘(LS)、初值为零的递推最小二乘(ZIV-RLS)及EIV-RLS辨识法进行建模和仿真验证,对比分析了三种方法的精确度,并验证了EIV-RLS辨识建模法的通用性。最后,通过对CSME系统样机的实验测试,验证了EIV-RLS辨识建模法的有效性和精确性。

以LM5035为核心的高效励磁电源的设计

为了改进传统励磁电源效率低、稳定性差等缺点,以LM5035为核心设计了一款高效励磁电源.给出了基于LM5035的高效励磁电源驱动控制电路、保护电路及反馈电路的设计过程,并用MATLAB软件对电源进行仿真,最后与采用肖特基半桥整流方式的励磁电源进行了对比实验.结果表明:本设计中励磁电源的传输效率明显高于其他传统励磁电源,且电路结构简单,可靠性高,进而证明了该款励磁电源具有较高的实用价值.

汽车电子委员会汽车级电子元器件标准技术要求研究

通过对汽车电子委员会电子元器件标准体系及产品规范的技术要求进行研究,分析产品规范的主要技术要求,并以半导体分立器件为例,与相关民用标准的关键鉴定考核项目进行了对比分析。分析得出汽车电子委员会标准在抽样方案、失效判据和试验项目及应力方面均严于现有国家标准。

SiC MOSFET 参数体系及测试方法 研究

通过介绍SiC MOSFET的器件特性,重点研究了与Si基器件有不同特性的关键参数,如阈值电压、体二极管参数及短路参数,提出了全面、科学的SiC MOSFET参数体系;通过分析国内外测试方法现状及其适用性,对与SiC MOSFET自身特性有关的参数,如阈值电压、阈值电压稳定性等参数,进行了测试方法的重点研究。

车规级半导体分立器件质量保证要求研究

从鉴定考核要求、鉴定扩展、关键检验项目试验应力的确定原则以及局限性和应对策略4个方面对车规级分立器件的质量保证要求进行了研究,并对新修订的AEC Q101E版与D版的差异进行了分析。

SiC MOSFET偏压温度不稳定性阈值电压测试方法研究

SiC MOSFET阈值电压漂移问题是器件可靠性面临的主要挑战,阈值电压测量的准确性对于评估器件在偏压与温度应力下的阈值电压稳定性极为重要。围绕偏压与温度应力下SiC MOSFET阈值电压测试的问题,分析SiC MOSFET阈值电压漂移特性的影响因素,介绍国外偏压温度不稳定性评估标准的现状,对标准中所有测试方法均进行详细分析,分类归纳总结现有测试方法,分析各类测试方法的优缺点。

国外新能源汽车用功率模块最新标准研究

对国外新能源汽车用功率模块现有标准的适用性进行分析,对最新发布的适用于新能源汽车用功率模块的标准主要技术内容,特别是温度冲击、功率循环等关键考核要求进行研究,提出我国相关标准制修订建议。

碳化硅功率器件的关键技术及标准化研究

阐述碳化硅功率器件的性能优势、应用领域及国内外发展情况,分析碳化硅衬底、外延、器件、封装等关键技术,基于碳化硅功率器件标准适用性研究,提出围绕技术热点制修订标准,建立快速响应标准机制。

SiC MOSFET体二极管双极退化可靠性试验方法研究

SiC MOSFET体二极管双极退化是由材料缺陷导致的退化现象,严重影响器件的可靠性,目前没有统一的试验方法,影响了器件的推广和应用。从加电模式、加电条件、试验时间和失效判据4个方面对体二极管双极退化可靠性试验方法进行了研究,并编制了体二极管双极退化可靠性试验方法草案。

IGBT模块封装可靠性及关键试验分析

IGBT模块现已成为功率范围从数百瓦到数兆瓦的电能变换和控制设备中的主流功率器件,围绕IGBT模块封装可靠性,通过介绍IGBT模块内部结构和封装工艺,分析由于封装造成的失效模式,针对封装可靠性的关键试验——功率循环试验,阐明试验目的与原理,对比分析相关测试标准,并提出试验注意事项,以保障试验的科学性。

美国防部SD-18《电子元器件要求与应用指南》解读

美国国防部一直非常重视电子元器件的研究和应用,为提高军用和商用元器件在军事环境中的质量可靠性与应用可靠性,形成了SD-18《电子元器件要求和应用指南》。本文介绍了SD-18的发展历程,全面解读了SD-18的主要内容,并提出了指南对我国军用电子元器件领域标准化工作的若干意义。

关键工艺过程控制标准对高可靠行波管的重要作用

介绍了制定高可靠行波管关键工艺过程控制标准的背景和意义,阐述了制定高可靠行波管螺旋线绕制、慢波组件夹持、电子枪装架等7个关键工艺控制要求标准的制定过程、主要内容和应用情况。

高可靠行波管关键工艺过程控制系列标准研制

以行波管为代表的大功率微波真空电子器件是电子信息装备的“心脏”,在雷达、导航、通信和数据传输等方面具有重要作用,特别是高频段和大功率领域在今后较长时期具有不可替代的地位。由于行波管结构复杂、工序繁多、品种多、批量小,存在成品率不高、关键参数一致性不好等问题,为了更好地满足装备使用要求,微波真空电子器件行业各研制生产单位进行了大量的质量攻关工作。以往真空电子器件的标准化工作主要集中在产品的检验考核方面,标准主要有《微波电子管通用规范》《微波电子管测试方法》和《电子管试验方法》.