基于TSMC 0.18μm CMOS工艺的研究,设计了一个应用于3~10 GHz超宽带无线通信系统接收前端的低噪声放大器。以经典的共源共栅的结构作为放大主架构,结合切比雪夫滤波器,实现超宽带输入匹配,并采用噪声消除技术优化LNA噪声性能。电路结构...基于TSMC 0.18μm CMOS工艺的研究,设计了一个应用于3~10 GHz超宽带无线通信系统接收前端的低噪声放大器。以经典的共源共栅的结构作为放大主架构,结合切比雪夫滤波器,实现超宽带输入匹配,并采用噪声消除技术优化LNA噪声性能。电路结构具有工作带宽大、输入匹配简单并且噪声性能优异的优点。仿真结果表明:在3~10 GHz频段内,S11和S22均小于-10 d B,S21为15 d B^10 d B,噪声系数NF为1.5 d B^2.3 d B,在1.8 V供电电压下电路功耗为14.5 m W。展开更多
文摘基于TSMC 0.18μm CMOS工艺的研究,设计了一个应用于3~10 GHz超宽带无线通信系统接收前端的低噪声放大器。以经典的共源共栅的结构作为放大主架构,结合切比雪夫滤波器,实现超宽带输入匹配,并采用噪声消除技术优化LNA噪声性能。电路结构具有工作带宽大、输入匹配简单并且噪声性能优异的优点。仿真结果表明:在3~10 GHz频段内,S11和S22均小于-10 d B,S21为15 d B^10 d B,噪声系数NF为1.5 d B^2.3 d B,在1.8 V供电电压下电路功耗为14.5 m W。