基于AlN HTCC基板的宽带T/R组件设计

介绍了一种基于AlN HTCC基板MCM工艺的宽带(2~12 GHz)T/R组件的原理及设计方法,该T/R组件在一块AlN HTCC微波多层基板上通过焊接、胶接等工艺安装了电阻、电容、ASIC、MMIC等器件,通过对电路布局设计、HTCC性能分析、关键互联电路仿真,得到的T/R组件的主要性能为:在10 GHz工作带宽内发射功率大于8 W,接收增益大于25 dB,噪声系数小于4 dB,重量小于40 g。

W波段发射模块研究

本文提出了一种W波段发射模块的系统构成和设计方法。该模块采用多芯片组件技术,集成了八倍频器、毫米波放大器、波导-微带过渡结构以及E面膜片滤波器,实现了射频信号从X波段到W波段的倍频及放大。热仿真和进一步实验表明,在腔体结构上集成散热翅片可以解决功放芯片的散热问题。测试结果表明,该模块在92.5~93.5GHz带宽内的输出功率大于27dBm,尺寸为40mm×19mm×19mm,满足了系统的小型化需求。

基于商用肖特基二极管的190GHz二倍频器设计

提出一种对商用肖特基二极管进行准确建模的方法。二极管的主要外形尺寸通过光学显微镜下测量得到。厂家所提供的零偏置结电容(Cj0)以及等效串联电阻(Rs)一般是在低频(兆赫兹量级)、小信号下测量所得,在太赫兹频段大信号驱动下,二极管的Cj0及Rs都会不同。通过计算、仿真及测试对这两个参数进行修正,使得测试结果与仿真结果吻合较好。基于建立的二极管模型设计了一款190 GHz二倍频器。测试结果表明,在17 dBm驱动功率下,倍频器在177~190 GHz范围内倍频效率大于10%,峰值倍频效率为14%。在可获得的最大驱动功率下,倍频器的最大输出功率为10.3 dBm。

W波段接收前端研究

本文实现了一种高性能小型化W波段变频接收前端。模块采用了一次混频的方式,将W波段射频信号下变频至S波段。本振采用八倍频方案将X波段信号倍频至W波段,并在本振和射频端分别加入窄带滤波器提升本振隔离和镜频抑制。测试结果表明:本文研制的W波段接收前端模块在93~94GHz范围内增益大于20dB,噪声系数小于4dB。