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结合高分辨率TDC的单光子探测系统设计
被引量:
2
1
作者
杜永超
谢生
+2 位作者
毛陆虹
闵闯
王敏
《哈尔滨工业大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第12期42-48,共7页
针对时间数字转换器(time-to-digital converter,TDC)的时间分辨率和测量误差相互制约,单光子探测系统工作频率低、测量死时间长等问题,设计了一款用于荧光寿命成像的高速单光子探测系统.该系统集成了一个6×6单光子雪崩二极管(sing...
针对时间数字转换器(time-to-digital converter,TDC)的时间分辨率和测量误差相互制约,单光子探测系统工作频率低、测量死时间长等问题,设计了一款用于荧光寿命成像的高速单光子探测系统.该系统集成了一个6×6单光子雪崩二极管(single photon avalanche diode,SPAD)阵列和一个两级结构的TDC.其中,SPAD之间相互并联以增大感光面积;淬灭电路自动控制两条放电支路,减小测量死时间的同时降低了后脉冲效应;TDC采用两级结构同时实现了高分辨率和大动态范围,其中第2级TDC采用三通道游标结构有效降低了测量误差;存储器将时间测量结果暂存在对应的地址中,测量结束后由串口电路按地址顺序读出到上位机中处理.该系统基于TSMC 0.18μm CMOS工艺仿真验证,芯片整体面积为2800μm×1800μm.仿真结果表明:SPAD的击穿电压约为11.3 V,雪崩电流约为10-3 A,淬灭电路的死时间约为40 ns;TDC的时间分辨率为30 ps,动态范围为241 ns;整个系统在526 MHz时钟频率下对两个荧光信号进行检测,测量误差均小于10 ps.
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关键词
单光子探测
时间数字转换器
三通道游标结构
单光子雪崩二极管
淬灭电路
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职称材料
基于40nm CMOS工艺的25Gb/s光接收机模拟前端电路设计
被引量:
1
2
作者
谢生
闵闯
+2 位作者
魏恒
毛陆虹
杜永超
《天津大学学报(自然科学与工程技术版)》
EI
CSCD
北大核心
2020年第12期1295-1300,共6页
为更好地屏蔽探测器结电容、适配先进工艺节点的低电源电压,对共栅级放大器进行改进,提出一种带有源反馈结构的共栅级跨阻放大器,降低了电压余度消耗并有效提升带宽.在此基础上,采用TSMC 40 nm CMOS工艺,设计一款速率为25 Gb/s的伪差分...
为更好地屏蔽探测器结电容、适配先进工艺节点的低电源电压,对共栅级放大器进行改进,提出一种带有源反馈结构的共栅级跨阻放大器,降低了电压余度消耗并有效提升带宽.在此基础上,采用TSMC 40 nm CMOS工艺,设计一款速率为25 Gb/s的伪差分光接收机模拟前端电路.该电路包括跨阻放大器、限幅放大器、直流偏移消除电路和输出缓冲级.其中,跨阻放大器采用带有源反馈结构的共栅级放大器,限幅放大器利用交错式有源反馈结构来提高电路带宽内的幅频响应平坦度,fT倍频器作为阻抗匹配的输出缓冲级.仿真结果表明,在电源电压0.9 V,探测器结电容等效值为150 fF的情况下,光接收机模拟前端电路的跨阻增益为59.6 dBΩ,-3 dB带宽为20.8 GHz,功耗为46.6 mW,芯片核心面积为600μm×440μm.
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关键词
跨阻放大器
共栅级跨阻放大器
光接收机
CMOS工艺
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职称材料
题名
结合高分辨率TDC的单光子探测系统设计
被引量:
2
1
作者
杜永超
谢生
毛陆虹
闵闯
王敏
机构
天津大学微电子学院
天津市成像与感知微电子技术重点实验室(天津大学)
天津大学电气自动化与信息工程学院
出处
《哈尔滨工业大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第12期42-48,共7页
基金
国家自然科学基金(11673019)。
文摘
针对时间数字转换器(time-to-digital converter,TDC)的时间分辨率和测量误差相互制约,单光子探测系统工作频率低、测量死时间长等问题,设计了一款用于荧光寿命成像的高速单光子探测系统.该系统集成了一个6×6单光子雪崩二极管(single photon avalanche diode,SPAD)阵列和一个两级结构的TDC.其中,SPAD之间相互并联以增大感光面积;淬灭电路自动控制两条放电支路,减小测量死时间的同时降低了后脉冲效应;TDC采用两级结构同时实现了高分辨率和大动态范围,其中第2级TDC采用三通道游标结构有效降低了测量误差;存储器将时间测量结果暂存在对应的地址中,测量结束后由串口电路按地址顺序读出到上位机中处理.该系统基于TSMC 0.18μm CMOS工艺仿真验证,芯片整体面积为2800μm×1800μm.仿真结果表明:SPAD的击穿电压约为11.3 V,雪崩电流约为10-3 A,淬灭电路的死时间约为40 ns;TDC的时间分辨率为30 ps,动态范围为241 ns;整个系统在526 MHz时钟频率下对两个荧光信号进行检测,测量误差均小于10 ps.
关键词
单光子探测
时间数字转换器
三通道游标结构
单光子雪崩二极管
淬灭电路
Keywords
single photon detection
time-to-digital converter
three-channel vernier structure
single photon avalanche diode
quenching circuit
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
基于40nm CMOS工艺的25Gb/s光接收机模拟前端电路设计
被引量:
1
2
作者
谢生
闵闯
魏恒
毛陆虹
杜永超
机构
天津大学微电子学院
中国电子科技集团第五十四研究所
天津大学电气自动化与信息工程学院
出处
《天津大学学报(自然科学与工程技术版)》
EI
CSCD
北大核心
2020年第12期1295-1300,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(61774113).
文摘
为更好地屏蔽探测器结电容、适配先进工艺节点的低电源电压,对共栅级放大器进行改进,提出一种带有源反馈结构的共栅级跨阻放大器,降低了电压余度消耗并有效提升带宽.在此基础上,采用TSMC 40 nm CMOS工艺,设计一款速率为25 Gb/s的伪差分光接收机模拟前端电路.该电路包括跨阻放大器、限幅放大器、直流偏移消除电路和输出缓冲级.其中,跨阻放大器采用带有源反馈结构的共栅级放大器,限幅放大器利用交错式有源反馈结构来提高电路带宽内的幅频响应平坦度,fT倍频器作为阻抗匹配的输出缓冲级.仿真结果表明,在电源电压0.9 V,探测器结电容等效值为150 fF的情况下,光接收机模拟前端电路的跨阻增益为59.6 dBΩ,-3 dB带宽为20.8 GHz,功耗为46.6 mW,芯片核心面积为600μm×440μm.
关键词
跨阻放大器
共栅级跨阻放大器
光接收机
CMOS工艺
Keywords
transimpedance amplifier
common-gate transimpedance amplifier
optical receiver
CMOS technology
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
结合高分辨率TDC的单光子探测系统设计
杜永超
谢生
毛陆虹
闵闯
王敏
《哈尔滨工业大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020
2
下载PDF
职称材料
2
基于40nm CMOS工艺的25Gb/s光接收机模拟前端电路设计
谢生
闵闯
魏恒
毛陆虹
杜永超
《天津大学学报(自然科学与工程技术版)》
EI
CSCD
北大核心
2020
1
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职称材料
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