MEMS器件湿法腐蚀工艺均匀性的提升技术

针对湿法腐蚀工艺下晶圆面内均匀性大于5%、湿法工艺无法兼容低成本和高质量的难点,研究了湿法工艺各个参数对片内均匀性的影响。分别讨论了腐蚀槽温度、晶圆进出腐蚀槽时间、晶圆出腐蚀槽到进水槽的时间间隔以及腐蚀槽循环流量对8英寸晶圆腐蚀均匀性的影响。综合单一因素对比结果,确认了优化后8英寸MEMS电容式麦克风的湿法腐蚀工艺条件。优化后,晶圆片内均匀性可以由原来的6.17%提升到3.47%,突破了晶圆内大面积湿法腐蚀片内均匀性大于5%的难点。麦克风重要特征参数吸合电压良率也从原来的91%提升到99%,满足规模化大批量生产的要求,为后续器件性能提升提供了新的研究思路。

三苯胺-噁二唑超支化共轭聚合物的多光子泵浦绿色荧光

采用钯催化Heck反应制备了一种新型三苯胺-噁二唑超支化荧光聚合物PI.用飞秒Ti:sapphire激光研究了PI的三光子和双光子上转换荧光光谱,激发波长位于近红外区(800～1350 nm).在1280 nm和80 fs激光激发下,PI的三光子上转换荧光发射波长分别为525 nm(THF),534 nm(CH2Cl2)和578 nm(DMF).在800 nm和150 fs激光激发下,PI的双光子上转换荧光发射波长分别为527 nm(THF),532 nm(CH2Cl2)和573nm(DMF).采用非线性透过率法测定荧光聚合物PI的三光子和双光子吸收系数.系统研究了PI的线性吸收和透过、单光子荧光、荧光寿命、前线轨道能级及热稳定性.实验结果表明,三苯胺-噁二唑超支化共轭聚合物的多光子吸收和上转换荧光发射性能比树型分子或线型聚合物更为优异.

新型超支化荧光聚合物的合成及光物理性质

通过Wittig法合成了一种新型三苯胺-噁二唑超支化共轭聚合物HPTPA-OXD,通过IR,1H NMR,凝胶渗透色谱(GPC)等对其结构进行了表征.测定了HPTPA-OXD在不同溶剂中的紫外吸收光谱、荧光光谱、荧光寿命及量子产率.HPTPA-OXD在甲苯,CHCl3,THF,CH2Cl2,DMF溶液中的荧光发射峰分别为473,497,507,522和547 nm,在CH2Cl2,甲苯和THF中量子产率分别为0.33,0.31和0.18,在THF,CH2Cl2,DMF中的荧光寿命分别为1.24,1.39和1.14 ns.电化学性能用循环伏安法测定,超支化荧光聚合物HPTPA-OXD的HOMO和LUMO能级分别为-4.91和-2.44 eV.HPTPA-OXD的分解温度为440℃,热稳定性良好。