光阻回刻工艺缺陷与改善方法研究

阐述在金属栅极(例如AL)半导体芯片制造工艺中通常需要引入一段特有流程用来去除多晶硅(Poly)并进行金属再填充。光阻回刻工艺作为该流程中的关键步骤,主要目的是去除Poly顶端的硬质掩膜,便于后道工艺对Poly进行刻蚀。因为NMOS和PMOS的硬质掩膜存在高度差异,以及光阻在不同图形密度区域厚度不同,导致工艺窗口紧张,实际生产维护困难,容易出现包括多晶硅残留在内的多种缺陷,严重影响产品最终良率。为此,通过对缺陷进行分类,探究形成机理,提出对应在线监控方式,能够降低缺陷发生率,并尝试对工艺条件进行优化,提升整体工艺窗口。

蚀刻通孔的阻值影响因素以及调整方法分析

阐述通孔的尺寸、形貌以及底部的特性是决定通孔阻值的关键因素,不同的蚀刻步骤需要配合不同的蚀刻气体,功率以及蚀刻时间。为此,从通孔蚀刻不同的步骤对尺寸、形貌,底部的特性的影响着手,分析影响通孔阻值的关键因素,找出通孔蚀刻工艺的管控方案,扩大工艺窗口。