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多孔结构盐酸/g-C_3N_4光电阴极的制备和表征
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作者 刘一 阮秋实 马桃林 《北京印刷学院学报》 2019年第4期105-110,共6页
论文采用一种新的热蒸发方法,在FTO基底上制备了经过盐酸处理的石墨相氮化碳(g-C_3N_4)薄膜,并对其进行物理性能和光电化学性能的表征,最后将其与纯g-C_3N_4薄膜进行对比。研究结果表明盐酸处理的g-C_3N_4可构建一种可控多孔结构,并且... 论文采用一种新的热蒸发方法,在FTO基底上制备了经过盐酸处理的石墨相氮化碳(g-C_3N_4)薄膜,并对其进行物理性能和光电化学性能的表征,最后将其与纯g-C_3N_4薄膜进行对比。研究结果表明盐酸处理的g-C_3N_4可构建一种可控多孔结构,并且适量的盐酸添加会改进膜的形貌,增加其表面态;同时有助于加快电荷转移速率,并减轻电极/电解质界面的电荷复合,从而提高聚合物光电阴极的光电化学活性,证明多孔结构的g-C_3N_4薄膜是一种有前途的光电阴极材料。 展开更多
关键词 g-C3N4 盐酸 半导体材料 多孔结构 光电阴极
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