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大电流光激可控硅的设计制造及应用
1
作者
阮震翔
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1994年第1期16-21,共6页
本文给出了大电流光激可控硅的设计考虑,特别对光激可控硅的正、反向阻断电压和α_(npn)、α_(pnp)的关系,以及光触发开启灵敏度和dV/dt、dI/dt耐量的解决办法作了较为详细的论述。同时还介绍了3安培光激可控...
本文给出了大电流光激可控硅的设计考虑,特别对光激可控硅的正、反向阻断电压和α_(npn)、α_(pnp)的关系,以及光触发开启灵敏度和dV/dt、dI/dt耐量的解决办法作了较为详细的论述。同时还介绍了3安培光激可控硅的制造方法,以及在光敏固态继电器(SSR)上的应用。
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关键词
晶闸管
光激可控硅
设计制造
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职称材料
题名
大电流光激可控硅的设计制造及应用
1
作者
阮震翔
机构
杭州半导体厂
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1994年第1期16-21,共6页
文摘
本文给出了大电流光激可控硅的设计考虑,特别对光激可控硅的正、反向阻断电压和α_(npn)、α_(pnp)的关系,以及光触发开启灵敏度和dV/dt、dI/dt耐量的解决办法作了较为详细的论述。同时还介绍了3安培光激可控硅的制造方法,以及在光敏固态继电器(SSR)上的应用。
关键词
晶闸管
光激可控硅
设计制造
分类号
TN34 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
大电流光激可控硅的设计制造及应用
阮震翔
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1994
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