Si/SiC超结LDMOSFET的短路和温度特性

Si/SiC超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(SJ-LDMOSFET)能有效改善Si SJ-LDMOSFET阻断电压低、温度特性差和短路可靠性低的问题。采用TCAD软件对Si SJ-LDMOSFET和Si/SiC SJ-LDMOSFET的短路和温度特性进行研究。当环境温度从300 K上升到400 K时,Si/SiC SJ-LDMOSFET内部最高温度均低于Si SJ-LDMOSFET,表现出良好的抑制自热效应的能力;Si/SiC SJ-LDMOSFET的击穿电压基本保持不变,且饱和电流退化率较低。发生短路时,Si/SiC SJ-LDMOSFET内部最高温度上升率要明显小于Si SJ-LDMOSFET。在环境温度为300 K和400 K时,Si/SiC SJ-LDMOSFET的短路维持时间相对于Si SJ-LDMOSFET分别增加了230%和266.7%。研究结果显示Si/SiC SJ-LDMOSFET在高温下具有更好的温度稳定性和抗短路能力,适用于高温、高压和高短路可靠性要求的环境中。

基于多场限环终端与结终端扩展技术的新型复合终端结构的研究

击穿电压是衡量功率器件性能的一个重要指标,场限环终端结构能有效提高PIN二极管的击穿电压,文章基于FLR终端结构基础,在每个场限环的边缘引入JTE扩展层,提出了一种新型复合终端结构的PIN二极管,研究了NCT结构PIN对击穿电压和电场分布的影响,通过场限环边缘的JTE层,减弱P+N主结的电场集中效应。Sentaurus-TCAD仿真软件结果表明,NCT结构的PIN二极管的击穿电压为1 063 V,与FLR终端结构相比提高了10.1%,而导通电流几乎一致,Baliga优值提高了21.1%,通过增加一步离子注入的操作,有效提高了PIN的击穿电压。

电子信息专业研究生校企联合培养机制的研究

目前国内许多高等学校的电子信息专业研究生的培养模式还停留在传统的研究—发论文—毕业,缺少动手实操能力与实际工程经验,针对这种状况,本文对电子信息专业研究生校企联合培养机制进行了探索,打造校企联合培养的特色专业群,提出了通过校企合作双导师共同培养,结合校企双方的优势与特点,充分培养学生科研创新能力与实践动手操作能力,直接对接企业与社会,既可以避免学生能力单一化,又可以解决企业需要再培养研究生的痛点,实现高校和企业对培养学生的高度融合,满足企业和社会对人才的实际需求。