驱动光束不均匀性研究中的硅平面薄膜

介绍以氧化、扩散、光刻等现代半导体技术结合化学腐蚀工艺实现对 Si片的定向自截止腐蚀 ,制备获得用于研究驱动光束不均匀性的自支撑 Si平面薄膜的工艺。通过台阶仪测量厚度在 3～ 4 μm的 Si平面薄膜 ,在扫描范围为 1 0 0 0 μm时 ,它的表面粗糙度为几十纳米 ;SEM测量表明 ,Si薄膜表面颗粒度在纳米量级 ;探讨了采用控制扩散、腐蚀参数和表面修饰处理来降低 Si膜表面粗糙度的方法。

用于X光成像系统像传递函数的Al静态成像靶

介绍用热蒸发结合光刻技术以及离子束刻蚀或热磷酸腐蚀的方法 ,制备用于测量X光成像系统像传递函数的Al静态成像靶的工艺 .对两种腐蚀工艺进行了比较 ,确定离子束刻蚀是获得所需图形的理想方法 .经扫描电镜 (SEM)和台阶仪测量 ,Al静态成像靶的参数满足实验要求 .