红外多光子解离亚磷酸三甲酯产生可见及紫外荧光的研究

近年来,科学家们为了寻找一种在可见区工作的化学激光体系,重新对一些高放热的磷化物的化学发光反应发生兴趣.对磷化物光解行为的研究表明,光解过程和产物与燃烧反应有许多相似之处.这是磷化物光解方面的初步探索.十年前,Merrow 和Nogar 曾用TEA

四甲基硅的多光子电离光谱和质谱

在半导体生产中常用化学气相沉积(CVD)方法制备纯硅.所用的硅化合物原料中,四甲基硅是很重要的一种.与其它种类相比,它不象硅甲烷那样易爆,又不象卤代硅烷那样有腐蚀性,化学性质是比较稳定的.另一方面,它的分子结构Si(CH_3)_4与一般有机金属化合物类似,具有一定代表性.因此研究这个分子的离解和电离过程,以及光物理与光化学性质,在应用和学术方面都是有价值的。

可见激光的多光子电离检测氨分子簇

NH_3/He混合气在超声分子束中形成分子簇,在427～442nm可见区用激光进行多光子电离,用飞行时间质谱仪检测到氨分子簇离子,最大的合17个N原子。除了质子化离子(NH_3)_nH^+之外,还有(NH_3)_n^+(NH_3)_nH_2^+和(NH_3)_(n-1)NH_2^+。离子强度的分布在较短波长和较长波长处有所不同。本文讨论了以上团簇离子形成的可能机理。

脉冲时间分辨光声量热法用于光厚溶液

近年来,用光声量热法(photoacoustic calorimetry,缩写PAC)测量液相体系中的光物理或光化学过程有了较快发展.这对于观测无辐射的瞬态粒子有重要意义。Peters及其同事曾分析过这种光声技术的原理.简言之。

分子团簇串级飞行时间质谱仪

本文报道了国内首台用于研究分子团簇的串级飞行时间质谱仪的研制过程.内容包括:串级飞行时间质谱仪的结构、原理、真空系统、检测控制系统、性能测试以及提高系统分辨率的措施等.并给出了用该装置所获得的碳原子簇正负离子的分布和硫原子簇的分布及S_5^+离子激光裂解等实验结果.

在超声分子束下气相四甲基硅分子的多光子解离与电离

采用超声分子束技术，以飞行时间质谱仪，在４１０～３７１ｎｍ内着重检测了不同波长、不同能量的激光对气相Ｓｉ（ＣＨ３）４分子多光子电离（ＭＰＩ）飞行时间（ＴＯＦ）质谱产物分布的影响。根据实验结果，对Ｓｉ（ＣＨ３）４分子多光子解离电离可能经历的通道和反应机理进行了讨论。

超声射流冷却自由基NH_2的激光诱导荧光激发谱

用准分子激光器泵浦的染料激光器做光源,通过NH_3/Ar放电产生NH_2自由基,得到超声射流冷却的NH_2在530-570nm范围的激光诱导荧光(LIF)激发谱。转动温度约为20K。其中∏(0,10,0),∏(1,6,0)带与S.Mayama等所得的结果一致,另外还得到了∑(0,11,0)带。

紫外激光作用下四甲基硅的MPI和硅原子的（2＋1）电离

本文报道了在３９０～３７１ｎｍ内利用平行板电极装置和飞行时间质谱仪相结合的方法对四甲基硅进行ＭＰＩ光谱及ＴＯＦ质谱研究的实验结果，并据此讨论了该分子可能的ＭＰＩ机理。

用于研究分子和自由基光谱的超声射流装置

本文介绍我们的一套实验装置,它产生的超声射流可将其中的分子和自由基冷却,使得用激光诱导荧光法(LIF)所得到的光谱,较之常温下的光谱大大简化,为研究分子和自由基的光谱提供一种行之有效的手段.该装置中自由基通过直流放电产生.

超声射流中CS_2的激光诱导荧光R系激发谱

在超声射流条件下观测了CS_2的激光诱导荧光R系激发谱(371—350nm),比常温情况下的光谱明显地简化了。对振动带系作了归属,并分析了其中几个带的转动结构。所得转动常数与前人数据作了比较.数据相当一致。推算出分子的转动温度降至15.6K。表明新建装置运转正常、有效.

紫激光作用下四甲基硅的MPI和硅原子的（1＋1）电离

本文利用平行板电极装置及飞行时间质谱仪相结合的方法对四甲基硅进行了多光子电离光谱及飞行时间质谱的研究得到了激光激发波长在３９０．６ｎｍ处硅原子的一个单光子共振峰，获得了该分子在这个波长点处的飞行时间质谱。

连续旋转滤光片(CVF)用于测量红外荧光光谱

将连续旋转滤光片(CVF)与红外探测器结合,在CVF的各个波长位置得到时间分辨红外荧光信号,然后进行信号强度的校正,转换成波长分辨的红外荧光光谱。我们用此技术获得了自由基PO的红外荧光发射谱,并推算了振动布居。

NO的双光子激发荧光谱和电离谱:γ(2,0)带

激光双光子激发是七十年代发展起来的研究分子光谱和动力学的一种有效方法,其优点是可以使用可见波段的激光来研究较高的电子态,并具有与单光子跃迁不同的选择定则。观测双光子激发所产生的荧光或离子,是常用的探测手段.本工作记录了NO的双光子激发荧光谱(TPEF)的γ(2,0)带和该带的(2+2)共振多光子电离谱(REMPI),对转动谱线作了标识,观测值与前人的结果以及计算值符合得很好,有些地方分辩更高些.其中双光子激发的荧光相信在国内是首次观测。此外,测量了NO分子在A^2Σ^+(v′=2)态的自猝灭及H_2O分子对它的猝灭速率常数,后一数据在文献中尚未见报道.

SiH_4紫外多光子电离的分质量光谱

本文首次报道SiH_4在紫外区多光子电离的分质量光谱。没有检测到SiH_4^+;SiH-2^+和SiH_3^+是主要产物、SiH^+很少。与同步辐射的实验结果相比,SiH_2^+/SiH_3^+的比例相近,但Si^+明显增强。在358-367nm,各碎片离子光谱有大体一致的形状;在377-393nm,Si^+光谱中有多出来的谱带。分析表明较多Si^+可能来自SiH_n^+的后续解离过程。

SiH_4的共振多光子电离光谱

SiH_4是生产半导体材料的重要原料。近年来对该分子的电子能级、解离和电离的研究逐渐深入,成为一个非常活跃的研究课题。SiH_4在可见与近紫外区是透明的,只有用真空紫外光才能研究它的吸收光谱。Y.Harada等首次得到了它的很粗的吸收谱。

SiH_4紫外多光子电离光谱的转动分析

本工作用激光扫描步长6×10^(-4)nm观测了SiH_4多光子电离光谱中363.52nm附近的精细结构。SiH_4被三光子共振激发后,作为略不对称陀螺处理。大多数转动谱线被论证为v_2振动垂直谱带的一个Q支,并推算出激发态转动常数B＇=3.04±0.01cm^(-1)。

草酰氯的激光诱导荧光激发谱

本文报道草酰氯C_2O_2Cl_2在358—372.5nm范围的激光诱导荧光(LIF)激发谱。对60多条振动谱带进行了归属,其中24条是吸收光谱中没有的。由振动结构得到C_2O_2Cl_2分子在X基态和A激发态的部分振动频率,其中v＂_7=84cm^(-1)和v＇_7=164cm^(-1)是新的数据。对4_0~1振动带的转动结构的分析给出转动常数A=0.190cm^(-1),B=0.114cm^(-1),C=0.048cm^(-1)。

用Marquardt算法拟合光声波形

把修改后的Marquardt算法用于计算机拟合脉冲时间分辨的光声波形,以三个顺序瞬态的动力学过程为例,可同时确定光反应中各瞬态的能量和寿命。

甲硅烷的多光子电离

本文测量了SiH_4的(3+1)电离光谱。在激光波长428—458nm基本上是一个连续谱,在激光紫外区347—392nm,得到两个振动前进带组,并标识了一个位于363.5nm的谱带精细结构。用飞行时间质谱仪检测了碎片离子,没有观察到母体离子SiH_4^+,主要的产物离子是SiH_2^+和SiH_3^+,SiH_2^+和SiH_3^+离子产率的比值近似等于相同能量下的单光子电离结果,但Si^+的产率明显增加。在384—390nm范围的Si^+离子的光谱中比其它离子的光谱多出一些谱带,其增加的Si^+可能来自SiH_2^+和SiH^+离子的离解过程。

气相CCl_2自由基的发射光谱

在CCl_4蒸汽的直流放电中,观测了从520到630nm波长范围的荧光发射并确认为CCl_2自由基→跃迁。近400条谱带归属为^(35)Cl-C-^(55)Cl和^(35)Cl-C-^(37)Cl的(v_1~′,v_2~′,0)→(v_1^(″),v_2^(″),0)一系列前进带组,并排列成Deslandres表。光谱分析给出CCl_2在激发态和基态的v_1和v_2振动频率及同位素位移,其中气相CCl_2在基态的数据尚未见文献报道。