1200V场终止型绝缘栅双极晶体管的ADE物理建模及参数提取

绝缘栅双极晶体管(IGBT)是微电子学研究的热点之一,而相关电路仿真迫切需要该器件的等效模型.本文提出基于傅里叶解双极扩散方程(ADE)的1200V场终止型IGBT物理模型,通过RC电路等效漂移区载流子分布,精确求解双极扩散方程.该模型针对大功率IGBT的工作原理,采用大注入假设条件,在综合分析场终止层的同时,根据1200V场终止型IGBT的特点考虑漂移区载流子的复合效应.在提取器件模型所需的关键参数后,用实际IG-BT的测量结果对该模型的仿真结果进行了验证,通过分析静态以及关断瞬态特性曲线,仿真与实验数据误差均值小于8%,证明所建模型及参数提取方法的精确度.

纳米工艺SRAM单元的尺寸效应研究与优化

集成电路工艺尺寸减小至纳米级时,尺寸效应的出现会导致SRAM读写可靠性下降。针对传统六管SRAM单元,采用蝶形曲线法对尺寸效应进行了分析,对不同工艺尺寸(90 nm^7 nm)的静态噪声容限进行了研究。分析了漏极致势垒降低效应、反向短沟道效应、正/负偏压温度不稳定性效应等物理效应,据此拟合出一个静态噪声容限经验公式。最后,对SRAM单元尺寸效应进行了优化,提高了SRAM单元的稳定性。