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双放电腔微波-ECR等离子体源增强磁控溅射沉积技术
被引量:
12
1
作者
徐军
邓新绿
+2 位作者
张家良
陆文棋
马腾才
《大连理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第3期275-278,共4页
因其设备简单、沉积速率高等特点 ,磁控溅射沉积技术被广泛地用于各种薄膜制备中 .但用反应磁控溅射制备化合物薄膜如氧化物、氮化物膜时 ,为了得到化学配比的膜层 ,薄膜生长表面的反应激活基团、离子等的密度必须足够大 .为此对原有的...
因其设备简单、沉积速率高等特点 ,磁控溅射沉积技术被广泛地用于各种薄膜制备中 .但用反应磁控溅射制备化合物薄膜如氧化物、氮化物膜时 ,为了得到化学配比的膜层 ,薄膜生长表面的反应激活基团、离子等的密度必须足够大 .为此对原有的微波 -ECR等离子体源进行了改造 .研究了双放电腔微波 -ECR等离子体源增强磁控溅射的放电特性 ,并用该方法制备了氮化碳膜 .结果表明 :该方法是一种有效的制备化合物薄膜的技术 ;用该方法制备的氮化碳膜 。
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关键词
磁控溅射
放电特性
氮化碳膜
等离子体源
薄膜制备
沉积
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职称材料
题名
双放电腔微波-ECR等离子体源增强磁控溅射沉积技术
被引量:
12
1
作者
徐军
邓新绿
张家良
陆文棋
马腾才
机构
大连理工大学三束材料表面改性国家重点实验室
出处
《大连理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第3期275-278,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目! (19835 0 30 )
文摘
因其设备简单、沉积速率高等特点 ,磁控溅射沉积技术被广泛地用于各种薄膜制备中 .但用反应磁控溅射制备化合物薄膜如氧化物、氮化物膜时 ,为了得到化学配比的膜层 ,薄膜生长表面的反应激活基团、离子等的密度必须足够大 .为此对原有的微波 -ECR等离子体源进行了改造 .研究了双放电腔微波 -ECR等离子体源增强磁控溅射的放电特性 ,并用该方法制备了氮化碳膜 .结果表明 :该方法是一种有效的制备化合物薄膜的技术 ;用该方法制备的氮化碳膜 。
关键词
磁控溅射
放电特性
氮化碳膜
等离子体源
薄膜制备
沉积
Keywords
Carbon nitride
Electron cyclotron resonance
Plasma applications
Plasma confinement
Plasma sources
Thin films
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
O461.2 [理学—电子物理学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
双放电腔微波-ECR等离子体源增强磁控溅射沉积技术
徐军
邓新绿
张家良
陆文棋
马腾才
《大连理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
12
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