一种用于频率驾驭系统的快速捕获锁相环设计

锁相环是一种能够完成两个信号相位同步的负反馈控制系统,其滤波作用可以使其通频带很窄,且自动跟踪输入频率,因此锁相环常用于原子钟、频标驯服系统以及时间同步系统中,是通信、卫星导航以及电子测量系统的重要组成部分。锁相环中相位噪声和捕获时间是两个相互制约的指标,在减少锁相环捕获时间的同时抑制相位噪声是目前锁相环技术研究中的重要问题之一。针对这一问题,基于模拟锁相环的基本理论和构成,根据环路带宽和捕获时间的数学关系,设计出一种辅助捕获电路,并应用于铷铯组合钟的频率驾驭模块。此电路可根据检相输出信号动态调整环路滤波器的阻值以改变环路带宽,从而实现快速捕获。实验表明,所设计的快速捕获锁相环的捕获时间为5.71 ms@1 Hz,锁相环输出信号杂波抑制优于-90 dBc,谐波抑制优于-55 dBc。

结区中存在量子阱结构样品的C－V特性分析

对不同组分、阱宽和垒宽的锗硅单量子阱和多量子阶样品的Ｃ－Ｖ特性及其与温度的关系进行了测量，并用数值方法解油松方程模拟计算了单量子阱样品的Ｃ－Ｖ特性及其Ｃ－Ｖ载流于浓度分布．实验和模拟计算的结果均表明，Ｃ－Ｖ载流子浓度分布在量子阱位置有一个浓度较高的峰值，它反映了被限制在阱中的载流子的积累，峰高随着量子阶异质界面的能带偏移的增加而增加．低温时由于阱中载流子的热发射几率变小，阱中载流于浓度的变化跟不上测试电压的频率，造成电容值显著变小．

快速热退火在硅中引入的缺陷的研究

快速热退火(RTA)将在n型硅中引入深能级缺陷。缺陷的种类和浓度随退火温度的变化而变化。由于这些缺陷的存在,使少数载流子寿命显著降低。这些缺陷可以分成两类。一类是与被冻结在晶格缺陷上的金属杂质有关,经二步退火后,这些缺陷能在650℃附近退火消失。另一类是晶格的本征缺陷,二步退火并不能消除这类缺陷。研究表明,这类缺陷与位错有关。

推进课程共享与教学改革 全面提升大学教学质量

基于共享课程建设的大背景,针对当前高校教学中所存在的问题,本文提出共享课程建设应配套相应教学改革,具体论述了以学生为主体、适合学生个性化学习需求的混合式教学模式和操作方法,以及共享课程建设的创新模式。并以"大学物理"教学改革和上海课程共享中心实践为例,说明混合式教学和课程共享是全面提升高校教学质量的重要途径。

MOOC3.0:朝向大学本体的教学改革

全球范围内对MOOCs逐渐趋于理性,本文对MOOCs对于发展中国家的大学的意义作了冷静的思考。MOOCs风靡的背后有其深远的时代性需求,发展中国家的大学不应该简单对待MOOCs,冷眼旁观与"拿来主义"都不可取,而是应当在分析研究MOOCs过程中认清时代使命、反思教学本然的价值、变革教学观念,顺应MOOC 3.0的思路,将开放教育资源与传统课堂创造性地结合起来,推进传统教学模式的革新,使相对陈旧的大学课堂真正跨入信息时代。

半导体中超快过程的研究

用飞秒脉冲激光技术研究了半导体中的超快过程.通过用超快光生电压谱对激光激发载流子的动量弛豫过程进行检测,得到在半导体硅中载流子的动量弛豫时间约为70飞秒,该过程与载流子与载流子的散射几率有关;对于锗硅量子点,由于载流子的散射几率下降,使动量弛豫时间增加至130飞秒.用超快反射谱法测量了载流子的能量弛豫过程和扩散过程,用高能量激光激发得到载流子的能量弛豫时间约为几个皮秒,这与载流子与声子的散射几率密切相关;而用低能量激光激发可得到光生载流子的扩散时间约为1百皮秒量级.

课堂教学受欢迎教师具有什么样的特征——基于复旦大学问卷调查的分析

研究"好教师"的教学观、教学策略和教学行为是开展有效教学实践必不可少的工作。本研究通过对复旦大学的教师调研,实证分析中国大学情境下,课堂教学受欢迎教师较之普通教师在对有效教学的认识、教学投入以及教学策略上到底具有什么样的特征。研究发现,受欢迎教师重视教学,乐于人际交流,擅长采取分析型和评价型学习活动策略,并具备一定的人格魅力。但是,他们的教学观和实际的教学策略与普通教师的差异并非如国外研究所揭示的那么显著,反映出当前国内高校教师在发展教学学术上的滞后性。

本科课程设置与改革的关键因素分析

本科课程设置与改革受到大学内外因素的制约,而内源性制约是当前改革需要首先关注的因素。构建有益于学科联通的教育教学组织,着眼学校与院系两个层面的课程设置改革,促进学生学习方式的转变,建立有效的评价系统,都是改革的关键性因素。而管理的有效驱动和过程控制则是改革的有力保证。

硅分子束外延中硼δ掺杂生长研究

利用硅分子束外延技术和Ｂ２Ｏ３掺杂源，成功地实现了硅中的硼δ掺杂，硼δ掺杂面密度ＮＢ可达３．４×１０１４ｃｍ－２（１／２单层）以上，透射电镜所示宽度为１．５ｎｍ．我们首次用原位俄歇电子能谱（ＡＥＳ）对硼在Ｓｉ（１００）表面上的δ掺杂行为进行了初步的研究，发现在ＮＢ＜３．４×１０１４ｃｍ－２时，硼δ掺杂面密度与时间成正比，衬底温度６５０℃，掺杂源温度９０００℃时，粘附速率为４．４×１０１３ｃｍ－２／ｍｉｎ；在ＮＢ＞３．４×１０１４ｃｍ－２时，粘附有饱和趋势，测量表明在硼δ掺杂面密度ＮＢ高达４．４×１０１４ｃｍ－２，都未观察到氧．我们还用反射式高能电子衍射（ＲＨＥＥＤ）和Ｃ－Ｖ测试对硼δ掺杂样品进行了观察．

改善铷原子钟物理部分温度系数的研究

铷原子钟的温度系数是决定其长期频率稳定度的关键因素,物理部分的温度系数又是铷原子钟温度系数的重要组成部分。为了改善物理部分的温度系数,在理论分析的基础上开展了试验研究,结果表明:提出的改善物理部分温度系数的措施是有效的。这对于进一步提高星载铷原子钟频率稳定度具有积极作用。

ZnSe纳米晶材料的超快吸收谱

通过改进的溶剂热方法,以KBH4作为还原剂,在三乙胺溶液介质中制备了ZnSe纳米晶材料.与ZnSe体材料相比,其纳米材料的稳态吸收边发生了蓝移,而且纳米颗粒的尺寸越小,蓝移量越大,这是由于随着尺度减少而引起的量子限制效应增强造成的.对在溶液中的ZnSe纳米颗粒的超快吸收谱的研究表明,当纳米颗粒的平均尺寸为75nm时,电子声子散射时间为8.74ps;当平均尺寸为45nm时,散射时间为2.77ps.随着纳米颗粒尺寸的减小,载流子与颗粒表面的非弹性碰撞几率增加,从而使载流子声子耦合的强度增强,导致载流子声子散射时间缩短.

提高铷原子频标短期稳定度的研究

对影响铷原子频标短期稳定度的三个因素进行了分析,在此基础上提出了改善短期稳定度的方法和措施,并通过试验进行了验证,获得改进后的铷原子频标的短期稳定度指标,短期稳定度从7×10-12/1s提高到1.20×10-12/1s。

铷频标温度系数影响因素分析与改进方法研究

高性能的被动型铷原子频率标准(以下简称铷频标)主要用于恶劣工作环境等特殊领域,铷频标的准确度和稳定度是卫星定位的两项关键技术,铷频标的稳定度包括短期稳定度和中长期稳定度,而中长期稳定度主要由温度系数决定。本文从改善铷频标温度系数的目的出发,全面梳理和分析了影响铷频标温度系数的主要因素,提出零温度系数等高线图优化法和零光频移灯激励电压优化法,并通过改进物理部分结构热设计等措施,优化了铷频标物理部分的温度系数。经试验验证,结果表明整机温度系数约为-2E-14/℃,铷频标的10^5s稳定度5. 52E-15,改善物理部分温度系数的方法和措施是有效的。

PICTS方法研究SI-GaAs中深能级缺陷性质

本文用 PICTS方法配合退火实验对各种 LEC SI-GaAs材料的缺陷进行了测量,对照文献已有的各种结果,分析和讨论了一些缺陷的成因和可能结构.认为其中的W_1 可能是与As_(Ga)有关的 EL3缺陷,W_4为热应力产生的缺陷.P_1 与V_(Ga)有关.在原生富砷样品的PICTS谱中存在负峰N,实验发现它的存在与样品表面状况无关.若考虑该缺陷同时与两种载流子作用,理论计算与实验符合较好.在有些样品中用PICTS方法观察到EL2峰,对于原生样品,发现经快速退火后EL2的体内浓度减小.

自组织生长的锗量子点及其光致发光特性

Si和Ge低维体系材料由于其优越的光电特性,已经广泛地受到人们的重视,尤其是零维体系(量子点).理论预言,量子点尺寸减少到几个纳米时,它的能带结构可以从间接带隙转变为准直接带隙,相应的辐射复合跃迁几率大大增加.制备Ge及GeSi量子点的方法有许多,例如,光刻法、选区外延生长、局域分子束外延生长以及自组织生长方法等,其中自组织生长是一种既简便又有效的方法.由于Ge与Si的晶格常数相差较大,Ge在Si上的生长属于S-K模式,即当Ge外延层厚度超过临界厚度(6 ML)时。

导纳谱研究锗硅单量子阱的退火效应

利用导纳谱研究了锗硅单量子阱的热稳定性．导纳谱热发射模型的理论模拟和深能级缺陷研究表明：在９００℃以下退火１０分钟，晶格弛豫并不明显，但原子的互扩散引起量子阱中子能级严重降低．同时，我们计算出了原子的互扩散系数，以及单量子阱Ｓｉ／Ｓｉ０．７５Ｇｅ０．２５／Ｓｉ中原子互扩散的热激活能１．０８ｅＶ．

快速傅里叶变换深能级瞬态谱测试系统

提出了一套快速傅里叶变换深能级瞬态谱（FFT-DLTS）测试系统,分析了该系统的硬件构成和软件流程,并给出了一个实例分析。最后,将FFT-DLTS与常规DLTS作了对比。

高校教师教学培训的效果研究:概念变化的视角

本研究从“概念变化”的视角,探讨高校教师教学培训项目的效果评估以及培训存在的问题。研究对象是“FD-QM高等教育混合在线课程质量标准”教师培训项目,一项有关课程设计的全国性高校教师培训项目。通过定量分析学员提交的300份课程评审作业,考察他们对标准背后的“一致性建构”课程设计原理是否准确理解。研究发现,教师在课程评审中出现了不稳定、前后矛盾的结果,表现出有悖于“一致性建构”原理的、失衡的评审图式,这从深层次说明教师在转向“以学生为中心”的教学观,实现“概念变化”上存在困难。研究还探讨了从促进教师“概念变化”的高度创新教师教学培训模式的必要性,并揭示了本土情境下丰富“概念变化”理论的未来课题,以更有效地引导教师教学发展的实践。

脉冲激光沉积Ta_2O_5薄膜的Al/Ta_2O_5/n-Si结构的C-V和DLTS研究

Ta_2O_5是一种性能优良的绝缘体材料,相对于传统MOS工艺中的SiO_2,Si_3N_4而言,它具有很高的介电常数(ε_(Ta_2O_5)=25,ε_(SiO_2)=4,ε(Si_3N_4)=7),高阻抗,低内应力,及耐高压等优点。因此,它在未来的Si集成电路工艺中具有潜在的应用前景。迄今为止,人们尝试了用许多方法来制备Ta_2O_5薄膜,其中包括反应性溅射沉积,低压化学气相沉积(LPCVD),等离子体增强化学气相沉积(PECVD),光诱导化学气相沉积等,并对薄膜的结构和电学特性做了大量的研究工作。然而,对脉冲激光沉积的Ta_2O_5薄膜的电学性质的研究还未见报道。

用导纳谱研究锗量子点的能级结构

提出变偏压的导纳谱可用来研究量子点的能级结构以及其中载流子的库仑相互作用。对Ge/Si量子点结构进行了变偏压的导纳谱测试,探测到了5个空穴的填充过程,其中2个填入类s态的基态,束缚能约为432meV,3个填入类p态的第一激发态,束缚能约为338meV。Ge量子点获1个空穴所需要克服的库仑势能约为30meV。