一种梯度自适应宽动态CMOS图像传感器像素结构

提出了一种梯度自适应的宽动态CMOS图像传感器像素结构。该像素结构采用多路分流设计,改变了3T-APS图像传感器的单线性响应率;根据不同的光照强度自适应调整响应率,在低照度时具有较大的响应率,在高照度时具有较小的响应率,从而增大了像素的动态范围。该像素结构简单,无需额外复杂的控制电路即可实现对光照强度的自适应梯度响应。基于0.18μm1P4MSMIC工艺,采用SILVACO TCAD仿真软件进行电路设计和仿真。结果表明,该CMOS图像传感器像素结构电路的动态范围可达到112.36dB。

采用Taguchi方法优化一种带外延层的PPD工艺参数

引入Taguchi方法分析并优化一种带外延层的PPD结构(EPPD),并通过SILVACO软件进行验证。实验结果显示该方法通过对EPPD像素结构工艺参数的优化,提升了该结构抑制噪声的能力和光电转换性能。