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车规级微控制单元芯片上车使用后的失效机理及失效率分析 被引量:4
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作者 陆涵蔚 朱黎敏 陈赞栋 《集成电路应用》 2019年第9期7-8,共2页
随着汽车智能化应用越来越广泛,芯片已经成为汽车上各功能模块不可或缺的一部分。分析表明,微控制单元芯片是车载芯片种类中一个重要的组成部分,不仅可以用于车上的核心行车电脑中,也可以用于车上娱乐系统。基于跟踪了2014年起至今多颗... 随着汽车智能化应用越来越广泛,芯片已经成为汽车上各功能模块不可或缺的一部分。分析表明,微控制单元芯片是车载芯片种类中一个重要的组成部分,不仅可以用于车上的核心行车电脑中,也可以用于车上娱乐系统。基于跟踪了2014年起至今多颗车规级微控制单元芯片的上车后的失效反馈,对其进行了失效机理归类及失效率分析。 展开更多
关键词 集成电路设计 微控制单元 车规芯片 平均失效时间.
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90 nm CMOS工艺平台金属硅化物工艺优化及其表征
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作者 陆涵蔚 曹俊 吴兵 《集成电路应用》 2019年第9期17-19,共3页
半导体制程发展到0.18μm节点及以下时,主要采用金属钴硅化物来降低扩散区的电阻和接触孔的接触电阻。当工艺节点缩小到90nm时,由于结深变浅,金属钴硅化物的厚度和均一性对结漏电的影响越来越显著。针对金属钴硅化物形成的多个工艺参数... 半导体制程发展到0.18μm节点及以下时,主要采用金属钴硅化物来降低扩散区的电阻和接触孔的接触电阻。当工艺节点缩小到90nm时,由于结深变浅,金属钴硅化物的厚度和均一性对结漏电的影响越来越显著。针对金属钴硅化物形成的多个工艺参数进行调整,并通过电特性参数中不同尺寸扩散区及栅极电阻的变化以及透射电镜图像来表征。 展开更多
关键词 集成电路制造 90nm 钴金属硅化物 工艺优化
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