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高速低功耗6端口分块式寄存器堆的设计
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作者 陆祯琦 蒋剑飞 毛志刚 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2009年第6期70-73,共4页
在SMIC的0.18μm CMOS工艺下,设计了一款3读3写32×16bit高速低功耗寄存器堆.该寄存器堆采用分块结构和改进的存储单元,有效地降低了寄存器堆的功耗.电路仿真表明,在室温条件下,工作电压为1.8V,最大读写延时为0.9ns,当寄存器堆工作... 在SMIC的0.18μm CMOS工艺下,设计了一款3读3写32×16bit高速低功耗寄存器堆.该寄存器堆采用分块结构和改进的存储单元,有效地降低了寄存器堆的功耗.电路仿真表明,在室温条件下,工作电压为1.8V,最大读写延时为0.9ns,当寄存器堆工作在1GHz时,功耗为23.70mW. 展开更多
关键词 寄存器堆 低功耗 分块结构
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