纳米Y_2SiO_5: Ce^(3+)的制备及光致发光

采用溶胶－凝胶法，以较传统方法低的温度合成了Ｙ２ＳｉＯ５Ｃｅ３＋纳米微晶，用Ｘ射线衍射、透射电子显微镜测定它们的物相为单斜晶系的Ｙ２ＳｉＯ５，平均粒径为３０－４０ｎｍ左右．还通过激发光谱和发射光谱，研究了其光致发光特性，观察到样品的发射谱的峰值波长位于４５８ｎｍ附近，比以固相反应法制备的Ｙ２ＳｉＯ５Ｃｅ３＋微晶粉及单晶Ｙ２ＳｉＯ５Ｃｅ３＋红移４０ｎｍ左右．

复合区间消去法在优化BaBr_2:Eu制备条件中的应用

本文以探索发光材料BaBr_2:Eu的最佳制备条件为例,介绍了区间消去法在优化制备条件中的应用。在多因素条件的制备过程中,由于采用了降维和复合区间消去法,大大减少了试验次数,特别是对某些未知的新材料,初始制备条件复盖的范围较宽的情况下,本文介绍的方法可以最少的试验次数找到符合要求的最佳制备条件。

BaCl_2:Eu和BaCl_2·2H_2O:Eu微晶的发光特性

本文研究了用还原气氛法在箱式炉内制得的BaCl_2:Eu^(2+)微晶及进一步处理后得到的BaCl_2·2H_2O:Eu^(2+)微晶的发光特性,包括发射光谱、激发光谱、热释光、光激励发光(存贮效应)及其温度依赖,就这些特性对BaCl_2:Eu与BaCl_2·2H_2O:Eu进行了比较.根据发光光谱与激发光谱分析了它们具有良好光致发光特性的原因,讨论了这两种材料在热释光性能及光激励发光(存贮效应)上的明显不同,并对BaCl_2·2H_2O:Eu^(2+)中Eu^(2+)发光的增强提出了可能的解释.

BaCl_2微晶中色心的ESR谱分析

用电子自旋共振(ESR)方法研究γ(或X)射线辐照发光基质材料BaCl_2中的点缺陷发现,在室温下有三个ESR峰。根据ESR信号朗德因子g值,信号强度受热衰减和时间衰减特征分析,确认这三个峰分别为BaCl_2微晶中的三种色心:V_K心、H心和F心。

稀土闪烁体PbWO_4:Dy^(3+)的光谱特性

我们研究了ＰｂＷＯ４和ＰｂＷＯ４Ｄｙ３＋晶体的激发、发射光谱，结果表明Ｄｙ３＋离子能进入具有复杂晶体结构的ＰｂＷＯ４晶体，而且它与ＰｂＷＯ４的发光中心之间存在能量传递过程，增强了Ｄｙ３＋的发光．ＰｂＷＯ４Ｄｙ３＋晶体是一种潜在的、新型的。

BaF_2中V_k心的ESR谱分析

电子自旋共振(ESR)实验间接表明,γ射线辐照能在室温下在BaF2微晶中产生Frenkel激子这样的元激发,此元激发受热在150℃以下消失。γ射线辐照使BaF2微晶中F-离子上的2P电子跃迁到外层轨道,并与2P轨道的空穴形成紧束缚的电子-空穴对——Frenkel激子。激子中的电子受热脱离F原子,这种晶格上的F0是ESR可探测的顺磁色心点缺陷——Vk心。受γ射线辐照的BaF2微晶中含有Frenkel激子,受热时Frenkel激子湮灭。Vk心增多的现象。

温度敏感荧光粉的性质及其在热图谱技术中的应用

研究了稀土温敏粉及ＺｎＳ型温敏粉的性质．着重分析了ＺｎＳ型温敏粉中的基质、激活剂及猝灭剂对温敏特性的影响，报道了这类温敏粉在热图谱技术中的应用结果．

BaCl_2中Eu^(2+)的电子自旋共振研究

制备和用X射线分析BaCl_2:Eu微晶的结构,并测量它的电子自旋共振(ESR)谱,结构分析和ESR谱都表明,替代Ba^(2+)的Eu^(2+)离子是处在轴对称的正交晶场中;并用抽对称的自旋哈密顿量和晶场哈密顿量对ESR实验数据进行拟合,求得在正交对称的BaCl_2中的Eu^(2+)的自旋哈密顿参数;还发现Eu替代Ba^(2+)的掺杂浓度的饱和值为0.34mol％。

BaCl_2微晶辐照损伤的电子自旋共振研究

用电子自旋共振(ESR)方法研究发光基质材料BaCl_2的X射线和γ射线辐照损伤及其恢复的情况,发现样品由X射线引起的辐照损伤,在日光下仅两分钟便能完全恢复;而γ射线引起的辐照损伤则很难完全恢复。

BaF_2微晶的γ辐照缺陷

用电子自旋共振(ESR)方法研究BaF_2微晶和单晶研粉的γ射线辐照损伤及其恢复情况,发现V_k心点缺陷的ESR信号随升温变化不象H,F和M心那样是单调衰减的,γ射线辐照可能会激发F^-离子上的Frendkel激子,该激子受热湮没而产生新的V_k心,因而使V_k心的ESR信号随开温增强,V_t心的朗德因子g也随升温而变化.单晶研粉的辐照损伤在400℃完全恢复,微晶的在355℃完全恢复.