K波段高功率放大器MMIC设计

基于GaAs p HEMT在微波领域的卓越性能,设计并实现了一款K波段GaAs功率放大器电路。根据阻抗匹配电路、三级级联放大结构来实现输出功率为2 W的K波段GaAs功率放大器。采用ADS软件对电路原理图进行了电学参数优化、版图绘制和电磁场仿真。采用0.25μm栅长GaAs p HEMT工艺完成电路的设计,放大器输出输入端口均匹配到50Ω。ADS仿真表明,功率放大器工作在21~24.5 GHz时,该放大器的输出功率大于33 d Bm,功率附加效率大于25%,功率增益大于19 d B,电路尺寸为2.5 mm×3.2 mm。

基于70 nm GaAs MHEMT单管芯的低噪声放大器设计

设计了一种基于70nm GaAs MHEMT(变形高电子迁移率晶体管)单管芯的宽带低噪声放大器(LNA),频率覆盖50MHz到3GHz。采用负反馈和输入输出匹配技术补偿晶体管增益随频率的滚降,以及优化稳定性和反射系数。所设计的单管芯LNA增益大约为15dB,噪声系数约为0.77dB左右。这种基于70nmGaAsMHEMT单管芯的LNA电路设计具有较高的灵活性,对于工艺验证和灵活快速实现板级LNA具有重要意义。