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C波段GaAs单片低噪声放大器
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作者 陈克金 吴庆芳 +3 位作者 莫火石 陈继义 陈世鸯 周清 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1991年第3期181-187,共7页
本文介绍了C波段GaAs微波单片集成低噪声放大器的设计,给出了电路拓扑与版图设计.在3.7～4.2GHz下,研制成的两级放大器噪声系数为1～3.5dB,增益为20dB左右;三级放大器噪声系数为1.6～3.5dB,增益大于30dB.
关键词 低噪声放大器 C波段 GAAS 放大器
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