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低能聚焦电子束诱导的金属表面局域荷电效应
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作者 陈东政 朱瑞 徐军 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2018年第3期244-250,共7页
鉴于低能电子束微纳成像与分析的重要应用,本文着重研究低能电子束同金属样品的相互作用。低能电子束入射至金属表面,当总散射电子产率>1且入射束流密度较高时,发现测得透射束流会随时间而发生不同程度的衰减失稳现象。建立微观空穴... 鉴于低能电子束微纳成像与分析的重要应用,本文着重研究低能电子束同金属样品的相互作用。低能电子束入射至金属表面,当总散射电子产率>1且入射束流密度较高时,发现测得透射束流会随时间而发生不同程度的衰减失稳现象。建立微观空穴态复合模型讨论分析了透射束流衰减现象的物理机制,并推测透射束流衰减的原因。由于金属表面缺陷和吸附等将使得样品中所激发的空穴态寿命增加,降低了同自由电子复合几率,导致表面局域电荷积累,从而在宏观统计上导致电子发射效率的降低以及透射束流的衰减。 展开更多
关键词 低能电子束 金属表面 局域荷电 电子产率 束流衰减
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