电磁继电器触点磨损的理化分析

电磁继电器是各类自动化系统中重要的一种基础元件．由于它频繁工作在开关状态，外部振动或温度变化可能引起继电器触点表面氧化或磨损，从而电接触电阻增大，对电接触性能产生不良影响．借助扫描电镜（ＳＥＭ）和Ｘ射线衍射仪（ＸＲＤ）对电接触表面进行观察和测量．实验结果表明，经长期连续使用后触点表面变得粗糙并发生磨损，其组分中含有Ｃ、Ｃｅ、Ａｇ等原子．最后对继电器早期失效机理进行了讨论．

自组织生长单层InAs量子点结构中浸润层与量子点发光的时间分辨谱研究

在GaAs(100)的衬底上,采用MBE自组织方法生长了单层层厚分别为2和2.5 ML,的InAs层。通过原子力显微镜(AFM)观察,证实已在InAs层中形成量子点.采用光致发光谱及时间分辨谱对InAs量子点及浸润层开展研究和对比,分析了单层InAs量子点和浸润层中的载流子迁移过程,较好地解释了实验结果.

自组织生长InAs量子点的发光性质研究

通过对加InGaAs覆盖层的InAs自组织生长量子点的变温光致发光谱以及时间分辨谱的研究,发现低温下量子点的发光强度和光生载流子的寿命不变;中间温度区载流子寿命随温度升高而变大;更高温度时,发光强度和载流子寿命均随温度升高而快速下降.

高灵敏表面光伏谱前置放大器的研制

表面光伏技术可测量半导体材料的少数载流子的扩散长度、表面电荷等，能表征半导体微结构。采用静电计管作为信号的前置放大器具有电压增益低、体积大等缺点。介绍了一种表面光伏谱前置放大器的设计原理、设计方案和应用实例。该前置放大器具有灵敏度高、响应时间短、截止频率低等优点，并且体积小、使用成本低。

银及银铈合金触点表面性质的研究

电磁继电器长期连续工作时，继电器触点表面特性的变化将直接影响到工作系统的可靠性与稳定性。该研究借助X射线衍射仪（XRD）分析银发银饰合金触点表面的组分，并利用扫描电子显微镜（SEM）观察其表面形貌，进而讨论了对继电器触点性质的影响因素。

自组织量子点的瞬态光谱性质研究

研究了多层自组织生长InAs/GaAs量子点的PL谱的发光强度、发光寿命及峰值能量的温度特性,发现同一层不同尺寸量子点之间、不同量子点层之间存在着强烈耦合,对两种耦合机制的温度特性进行了较详细的研究.

新的电调制反射谱技术及其应用

提出一种微接触电调制反射谱(LCER)测试方法,该方示与无接触电调制反射(CER)谱相比较,可极大降低调制电压。给出了自制的详细样品架结构,测量了InGaAs/GaAs量子阱样品,并与光调制反射谱(PR)相比较,结果证实了此方法的可行性和高光谱灵敏度,表明样品与电极的轻微接触既对测量结果没有明显的影响,又可简化测试条件,降低对测量环境的要求,是研究半导体材料和微结构一种方便而又有效的方法。

In_(0.4)Ga_(0.6)As/GaAs自组织量子点的光伏谱温度特性

自组织生长方法作为一种有效而直接的制备半导体量子点的方法受到重视。本文采用无需在样品上制备电极的电容耦合的光伏谱方法 ,实验测量了 In0 .4Ga0 .6 As/ Ga As自组织量子点在不同的温度下的光伏谱 ,对测量谱峰进行了指认 ,研究了量子点谱峰能量位置随温度的依赖关系。实验结果表明 ,量子点具有与体材料及二维体系不同的温度特性 ,对实验所测样品 ,其激子峰能量随温度增加而红移的速率约为 Ga As体材料带隙变化的 1.4倍 ,本文对这一异常现象进行了讨论。