溶胶-凝胶法制备掺氟二氧化硅低介电常数薄膜

采用溶胶 凝胶法制备了低介电常数SiO2 薄膜和SiOF薄膜 ,F的掺入明显地降低了SiO2 薄膜的介电常数。研究了F的掺杂量对薄膜介电常数的影响 ,测量了 10～ 3 0 0kHz范围内电容随频率变化的曲线 ,并计算了相应介电常数。二次离子质谱对薄膜深度分析的结果表明 ,F在薄膜中的分布是不均匀的。讨论了溶胶 凝胶法制备掺F的SiO2 薄膜过程中各种因素对介电常数的影响 。

锐钛矿型TiO_2胶体制备抗菌陶瓷的特性研究

利用锐钛矿晶型的纳米TiO2 胶体溶液 ,将硅胶作为粘结剂按不同配比加入TiO2 胶体 ,用提拉法在陶瓷表面形成均匀薄膜并在高温下烘烤成膜。研究TiO2 和硅胶在不同比例情况下的薄膜特性 ,讨论了退火温度对亲水性及光催化活性的影响 ,利用分光光度计测量了TiO2 薄膜对亚甲基蓝的分解活性 ,测定了薄膜对洗涤剂、消毒剂、3 %NaOH和沸水的抗腐蚀能力。结果表明 ,利用这种方法制备的薄膜具有较好的光致亲水性和光催化性 ,并具有良好的抗腐蚀能力。

透明导电氧化物薄膜的新进展

透明导电氧化物（TCO）薄膜In2O3:Sn和SnO。2:F都已经发展成熟,分别大规模应用于平板显示器和建筑两大领域。最近几年,TCO薄膜的研究又进入了一次复兴时期,研究和开发出几类具有明显特色的新型TCO薄膜。ZnO基TCO薄膜有替代In2O3:Sn薄膜的趋势;多元TCO薄膜材料可以调整其性能来满足某些特殊应用的需求;具有高载流子迁移率的In2O3:Mo薄膜为进一步提高TCO薄膜的性能打开了一条新路;真正的p型TCO薄膜为制造透明电子元器件迈出了第一步。

辛安里少年往事

樊小龙是在辛安里长大的少年。辛安里得名于这座城市的护城河辛安河。这座城市不大却干净,小小的一方被拢在海湾里,水深浪平,就形成了天然的海港。临海背山的地貌,雪窝似的,夏天和冬天总有大雨大雪,因而辛安河总也不干。