SnSex薄膜中SnSe与SnSe2两相调控机理研究

本论文利用分子束外延技术在BaF2 (111)衬底上制备了SnSex薄膜,并利用拉曼光谱和X光电子能谱(XPS)对SnSex薄膜中SnSe、SnSe2两组分的调控机理进行了系统研究,研究结果表明当锡硒原子比率Sn/Se ≈ 1时,以250℃和300℃衬底温度制备的SnSex薄膜均存在SnSe和SnSe2两种组分,提高衬底温度将有利于薄膜中SnSe的形成,当衬底温度由250℃提高到300℃时,XPS中与SnSe、SnSe2相对应的Sn 3d5/2组分峰的强度比ISnSe/SnSe2由0.23提高到了0.54。进一步的研究结果表明,与提高衬底温度相比,通过增大生长过程中锡硒原子比率可更有效地提升薄膜中SnSe的比例,XPS数据显示当锡硒原子比率由Sn/Se ≈ 1提高到Sn/Se ≈ 1.02时,与SnSe、SnSe2相对应的Sn 3d5/2组分峰的强度比ISnSe/SnSe2由0.23提高到了2.38。本论文的研究将为今后纯SnSe相的可控制备提供理论依据。

转型的力量

我们这代人很幸运，不仅没有经历父辈们遭遇的产业调整中的失落，而且完全是中国快速崛起与发展过程中的受益者。