CMOS器件及其结构缺陷的显微红外发光现象研究

CMOS器件结构依靠其较低的功耗和高集成度而广泛应用于集成电路中,它在正常工作和发生失效时均存在微弱的显微红外发光现象。对CMOS结构的显微红外发光现象产生机制进行了研究和实际观察,将对深入了解CMOS器件中各种红外发光效应和分析其可靠性具有实际意义。

BGA焊点在板级跌落实验中的疲劳寿命估计

按照JEDEC标准对板级跌落实验的要求测试了有铅和无铅焊点的球栅阵列封装。用ANSYS软件建立了有限元分析模型,并用ANSYS/LS-DYNA直接求解器计算了典型结点的应力和应变,以及每次跌落时积累在焊点中的平均应变能密度。利用实验和模拟的结果重新计算了Darveaux模型中的常数,将这个模型的应用范围扩展到了跌落环境,并计算了各种条件下焊点的疲劳寿命。

无铅BGA封装可靠性的跌落试验及焊接界面微区分析

通过进行BGA封装的可靠性力学试验(高加速度跌落试验),研究了机械冲击和应力对无铅BGA封装焊点的可靠性的影响,并通过对失效BGA封装焊点的微观结构和成分的SEM/EDX分析,寻找影响焊点可靠性的主要因素,研究结果表明,焊点的失效模式较为复杂,而在多数情况下,焊点的疲劳失效与焊接界面处的金属间化合物IMC层断裂有关,并对无铅焊料IMC的性质也作了研究.