多晶硅发射极NPN管的辐射效应研究

为了研究多晶硅发射极双极晶体管的辐射可靠性,对多晶硅发射极NPN管进行了不同偏置条件下^(60)Coγ射线的高剂量率辐照试验和室温退火试验。试验结果表明,辐射后,基极电流I_B显著增大,而集电极电流I_C变化不大;反偏偏置条件下,I_B的辐射损伤效应在辐射后更严重;室温退火后,I_B有一定程度的持续损伤。多晶硅发射极NPN管与单晶硅发射极NPN管的辐射对比试验结果表明,多晶硅发射极NPN管的抗辐射性能较好。从器件结构和工艺条件方面,分析了多晶硅发射极NPN管的辐射损伤机理。分析了多晶硅发射极NPN管与单晶硅发射极NPN管的辐射损伤区别。

MPCNL和标准通道PCNL对合并肾功能不全的老年性肾结石患者近期肾功能的影响

目的 探讨MPCNL和标准通道PCNL对合并肾功能不全老年性肾结石患者近期肾功能的影响。方法 将2012年10月-2014年8月我院治疗的肾结石并肾功能不全老年性患者100例,采用随机数字表法分为微创组、标准通道组各50例,分别行MPCNL和标准通道PCNL治疗肾结石,术后1周复查血Cr、血BUN、β_2-微球蛋白（BMG）及视黄醇结合蛋白（RBP）,比较两组患者手术前后肾功能变化情况。结果 两组患者围手术期出现并发症发生率无明显差别（P〉0.05）,手术时间〈2 h,术后两组患者血Cr、BUN较术前略有下降,血BMG、RBP较术前略有升高,但差异无统计学意义（P〉0.05）;手术时间≥2 h,术后两组患者血Cr、BUN较术前有所下降,差异无统计学意义（P〉0.05）,但血BMG、RBP较术前明显升高（P〈0.05）。两组患者肾功能改善、稳定和恶化人数比较均无明显差异（P〉0.05）。结论 MPCNL和标准通道PCNL对老年性肾结石伴肾功能不全患者术后早期肾功能无不良影响,而一定程度上可改善患者肾功能。手术时间延长,可致反映早期肾功能损害较灵敏指标血RBP、BMG升高。因此行PCNL时应避免时间过长,从而能最大限度上保护或改善患者现有肾功能。

经皮肾穿刺微造瘘取石术治疗无积水复杂性肾结石46例

目的探讨经皮肾穿刺微造瘘取石术(mini-PCNL)治疗无积水复杂性肾结石的手术技巧及临床应用价值。方法回顾性分析46例无积水复杂性肾结石患者(完全性鹿角形结石3例,部分鹿角形结石17例,多发结石26例)应用mini-PCNL术治疗的临床资料。结果 46例均Ⅰ期穿刺成功,I期碎石取石术44例,2例完全性鹿角型肾结石患者因为结石较大,患者年龄较大,有基础疾病,手术时间超过120min而改为Ⅱ期取石。平均手术时间(90±21)min。1次手术取尽结石40例,经2次取尽1例,总的结石清除率为89.1%,5例遗留小结石(结石直径均小于1cm),并用体外冲击波碎石4例。扩张皮肾通道时无明显出血、感染、无损伤周围脏器、无导致肾切除的病例。结论 mini-PCNL治疗无积水复杂性肾结石是安全、高效、恢复快、创伤小的微创术式,结合术后体外震波碎石治疗可以代替开放手术而成为无积水复杂性肾结石的首选治疗方法。

高性能低功耗SAR A/D转换器技术发展动态

基于国际公开发表的逐次逼近型A/D转换器(SAR ADC)技术论文,总结了不同架构下高性能SAR结构A/D转换器的技术特点。分析了SAR ADC中主要模块的关键技术,包括高速高线性采样开关技术、高速低功耗比较器技术、高速旁路SAR逻辑技术,以及相关技术在电路级实现时需要考虑的因素。针对SAR ADC的主要模块,介绍了近年来新技术的改进方法。这些高性能低功耗SAR ADC新技术及发展动态的综述对设计者可提供有益的帮助。

CMOS/SOS CC4066器件的可靠性研究

本文介绍了CMOS/SOS CC4066器件长期可靠性试验结果。对失效器件的分析表明,硅-蓝宝石技术没有新的失效机理。该器件的可靠性不低于国内体硅MOS IC能达到的水平,并接近“七专”器件的水平。

衬底电压自举结构的10位120 MS/s SAR ADC

基于采样管衬底电压自举结构,提出了一种高线性低阻抗采样开关技术。在保证采样开关等效输入阻抗较小的同时,实现了采样开关的源/漏极与衬底之间的寄生电容不随输入信号幅度的变化而变化;减小了动态比较器输入管的等效导通电阻,提高了动态比较器输入管的跨导,解决了动态比较器的速度与噪声折中的难题。基于65nm CMOS工艺,设计了一种10位120MS/s SAR ADC。在1V电源电压下,功耗为1.2mW,信号噪声失真比SNDR>55dB,无杂散动态范围SFDR> 68dB,在奈奎斯特采样情况下,优值(FoM)为22fJ/(conv·step)。

半导体器件的长期贮存失效机理及加速模型

加速应力试验是评价长期贮存一次性使用半导体器件贮存可靠性的最重要途径之一。针对半导体器件不同的失效机理,选择合理、准确的加速应力模型,是定量分析半导体器件贮存寿命的基础。介绍了半导体器件在长期贮存时的主要失效机理及其加速应力模型,给出了这些模型的适用条件。

利用试验设计方法表征微电路工艺设备

随着现代微电路工艺技术和设备性能的提高,许多工艺涉及6个或更多的工艺条件输入,而且这些工艺条件之间存在更多的交互效应。为了表征设备特性并优化工艺条件,文章利用部分要因试验设计方法安排试验方案,实现了对实际氧化工艺特定设备的表征,建立了氧化膜厚度以及厚度均匀性的工艺模型,可进一步用于工艺条件的优化设计。

基于MBE的f_(max)为157GHz的SiGe HBT器件

在模拟集成电路的应用中,不仅注重器件 fT,而且注重晶体管最高振荡频率(fmax).文中以 MBE生长的SiGe材料为基础,进行了提高SiGe HBT器件fmax的研究,研制出了fmax=157GHz的SiGe HBT器件.

输尿管硬镜联合软镜钬激光碎石术治疗复杂上尿路结石的临床研究

目的探讨输尿管硬镜联合软镜钬激光碎石术治疗复杂上尿路结石的临床效果。方法方便选取2011年5月—2015年6月在该院接受治疗的60例上尿路结石患者作为研究对象。对患者进行随机分组,对照组30例给予输尿管硬镜联合体外碎石术治疗,观察组30例给予硬镜联合软镜钬激光碎石术治疗,对比分析两组患者的碎石成功率、复发率及手术情况。结果经治疗,观察组排石率为96.67%,对照组为70.00%,观察组明显高于对照组;观察组患者碎石成功率为93.33%,对照组为73.33%,观察组显著高于对照组;复发率明显低于对照组,两组间对比差异有统计学意义(P<0.05)。观察组平均手术时间、住院时间、出血量及排石时间均明显少于对照组,比较差异有统计学意义(P<0.01)。结论输尿管硬镜联合软镜钬激光碎石术治疗复杂上尿路结石的效果明显优于硬镜钬激光碎石术,值得临床推广及应用。

BOX-COX变换与微电路工艺设备表征

(利用部分要因试验设计与数据转换表征微电路工艺设备)。因为试验数据的尺度效应和测量的固有属性,试验数据常违反模型误差的正态和一致性假设。通过BOX-COX数据转换分析,确定热氧化工艺目标值的最优转换形式,针对转换后数据建立的回归模型满足上述假设。结果表明:数据转换的建模方法能满足方差分析的假设(违反度减轻),并且能更多发掘数据信息,氧化膜厚的模型拟合修正判定系数R2由93.54%增加到98.64%。所得模型用于优化工艺条件,在满足膜厚目标下,非均匀性由0.2%减小到0.08%。文中讨论的基于数据转换的建模方法可以用于半导体制造其他工艺。

SiGe异质结晶体管频率特性模型研究

在分析载流子输运和分布的基础上,建立了SiGe异质结晶体管(HBT)各时间常数模型;在考虑发射结空间电荷区载流子分布和集电结势垒区存在可动电荷的基础上,建立了SiGeHBT发射结势垒电容模型和不同电流密度下包括基区扩展效应的集电结势垒电容模型。对SiGeHBT特征频率及最高振荡频率与电流密度、Ge组分、掺杂浓度、结面积等之间的关系进行了模拟,对模拟结果进行了分析和讨论。

一种基于电容匹配算法的低噪声SAR ADC设计

设计了一个12位,采样速率为120kS/s的SAR ADC。提出了一种12位精度下,能在电容面积和精度之间进行折中的算法,使得电容的整体面积、速度和功耗达到优化。通过对比较器的设计,解决了在噪声环境下,影响比较器性能的电荷注入、带宽、转换速度等问题。在0.35μm2P5MCMOS工艺下进行了流片,测试结果表明,设计的SAR ADC的DNL和INL均小于±1LSB,功耗为1.5mW。

金丝球焊的工艺质量统计控制

金丝球焊键合工艺作为主要的内部引线互连工艺技术 ,广泛应用于单片集成电路 ( IC)及厚薄膜混合集成电路 ( HIC)中。在批量生产中 ,其键合质量直接影响产品的可靠性 ,文章探讨了在批量生产中如何使用质量统计控制方法对金丝球焊键合工艺进行及时有效的调整控制 ,使其在批量生产中的质量一致性满足产品质量可靠性要求 。

特种器件厚外延前后图形转移方法研究

提出了一种特种器件厚外延前后图形的转移方法。通过设计一块带外延前图形层的对位标记和投影光刻机识别标记的掩膜版,解决了厚外延之前图形的精确套准和厚外延之后投影光刻的难题,实现了厚外延前后的套刻精度高于0.5μm。该方法可广泛应用于带埋层的VDMOS、超结VDMOS、高压互补双极器件,以及高压BCD器件的投影光刻。

SiGe薄膜材料电阻率与掺杂浓度的关系研究

目前,应变Si1-xGex薄膜材料杂质浓度尚未有准确且简便易行的测试方法。为了快速准确地确定应变Si1-xGex薄膜材料的掺杂浓度,在研究应变Si1-xGex材料多子迁移率模型的基础上,采用Matlab编程模拟仿真,求解并建立了不同Ge组分下应变Si1-xGex薄膜材料掺杂浓度与其电阻率的关系曲线,讨论了轻、重掺杂两种情况下该关系曲线的变化趋势。通过Si1-xGex薄膜材料样品的四探针电阻率测试及电化学C-V掺杂浓度测试的对比实验,对本关系曲线进行了验证。

宽带放大器可靠性问题浅析

叙述了国产高频宽带放大器的质量和可靠性现状，详细介绍了这类产品的质量一致性检验、可靠性摸底试验和现场使用过程中出现的可靠性问题，用统计的方法得出了可靠性特征量，通过对失效样品的失效分析，总结出宽带放大器主要的失效模式和失效机理，并提出了消除和减少失效、提高宽带放大器可靠性的措施和建议。

X1525可靠性评估电路单管失效机理的研究

对Ｘ１５２５可靠性评估电路中的单管进行了三组不同应力的可靠性试验及温度为１２５°Ｃ、１７５°Ｃ、２２５°Ｃ的功率负荷试验。试验结果表明，温度和电应力能够改变Ｘ１５２５评估电路中单管的电参数分布，最终使其趋于某一特定值。

SiGe/Si HBT高频噪声特性研究

基于器件Y参数,对Si/Si1-xGexHBT的高频噪声进行了模拟。Si/Si1-xGexHBT的高频最小噪声系数随Ge组份x的增加而减小。与Si BJT相比,Si/SiGe HBT具有优异的高频噪声特性。

版图尺寸对SiGe/Si HBT高频噪声特性的影响

从实验上研究了版图尺寸对Si／SiGeHBT高频噪声特性的影响。结果表明，在现有工艺条件下，减少外基区电阻（即减少发射极与基区间距），对降低高频噪声很显著。增加基极条数、增加条长也可减少基极电阻，降低高频噪声。发射极条宽从2μm减少为1μm，对噪声的改善很有限。对1μm或2μm条宽，40μm条长的5个基极条或9个基极务的SiGeHBT，在片测试表明，频率从0．4GHz增加到1．2GHz，噪声系数在2．5～4．6dB之间变化。